| 主权项 |
1.一种形成半导体装置之互连之方法,其包含下列步骤:形成一层具有一切槽之绝缘层于半导体基材上;形成一铜薄膜于包括该切槽之绝缘层上;及于包含卤素气体气氛下再流动铜薄膜。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该铜薄膜系经由溅镀沈积法,化学蒸气沈积法或蒸发法形成。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该形成及再流动铜薄膜之步骤系于同一腔室内进行。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该铜薄膜系于450℃或以下再流动。5.如申请专利范围第1项之方法,其中植入之卤素气体选自包括F2,Cl2,Br,或I或其组合。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该卤素气体与铜薄膜反应,如此于铜薄膜表面形成铜-卤化材料。7.如申请专利范围第1项之方法,其中F2及Cl2系呈气态植入。8.如申请专利范围第5项之方法,其中Br或I系呈流体置于起泡器内及使用Ar及He等惰性气体藉起泡方法呈气态植入或经由使用液体MFC或气化器植入。9.如申请专利范围第5项之方法,其中该腔室压力于再流动铜薄膜之步骤系维持于低于10-2托耳俾使铜-卤化材料仅于铜薄膜表面形成。10.如申请专利范围第1项之方法,其中当沈积铜薄膜于包括切槽之绝缘层时添加小量卤素气体。图式简单说明:第一图至第三图为垂直剖面图示例说明习知形成半导体装置之铜互连之方法;第四图及第五图为垂直剖面图示例说明根据本发明形成半导体装置之铜互连之方法;及第六图为表显示铜及铜-卤化材料之熔点。 |
