| 主权项 |
1.一种在玻璃底材上形成薄膜电晶体(TFT)之方法,该方法至少包含:形成一铟锡氧化物(ITO)于该玻璃底材上;形成第一金属层于该ITO层上;蚀刻该第一金属层,该ITO层以形成该TFT之闸极电极;形成第一氮化矽层于该闸极电极和该玻璃底材上;形成矽层于该第一氮化矽层上;形成第二氮化矽层于该矽层上;形成第一正光阻于该第二氮化矽层上;以该第一正光阻且从该玻璃底材之背面利用该闸极电极做为光罩加以曝光,之后并移除该第一正光阻之已曝光的部份;蚀刻该第二氮化矽层并利用该第一正光阻做为幕罩,因而在该闸极电极上方留下该第二氮化矽层之剩余部分;移除该第一正光阻;形成掺杂矽层于该矽层和该第二氮化矽层之该剩余部份之表面;形成负光阻于该掺杂矽层上;以该负光阻且从该玻璃底材之背面利用该闸极电极做为光罩加以曝光,并移除该负光阻之未曝光之部份;利用该负光阻做为罩幕蚀刻该掺杂矽层,因而曝露出该第二氮化矽层之剩余部份;移除该负光阻;形成第二正光阻于该掺杂矽层上以定义出接触区;蚀刻该第二氮化矽层,该矽层和该第一氮化矽层之该剩余部分,以形成接触孔洞;形成第二金属层于该掺杂矽层上,该第二氮化矽层之剩余部分上及该接触孔洞中;形成第三金属层于该第二金属层上;执行热制程以便在该掺杂矽层和该第二金属层之间的界面形成金属矽化物;形成第三正光阻于该第三金属层上;利用该第三正光阻做为罩幕蚀刻该第三金属层;移除该第三正光阻;利用该蚀刻的第三金属层做为罩幕蚀刻该第二金属层因而形成了源极和汲极区;蚀刻该矽层和掺杂矽层以定义出岛屿图案;且形成保护层于该玻璃底材上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一金属层乃选自铬(Cr),钨(W),钛(Ti),钽(Ta)和钼(Mo)所组成之群集中。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之矽层包含非晶矽层。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之掺杂矽层包含具有n导电型之掺质的矽层。5.如申请专利范围第4项之方法,其中上述之n导电型式掺质包含磷。6.如申请专利范围第4项之方法,其中上述之n导电型式掺质包含砷。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二氮化矽层利用该第一正光阻做为遮罩由缓冲氢氟酸溶液加以蚀刻。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二氮化矽层利用该第一正光阻做为遮罩由包含SF6,O2气体之乾式蚀刻加以蚀刻。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二金属层包含铬。10.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二金属层包含钼。11.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第三金属层包含铝。12.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第三金属层包含铝-钕。13.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之热制程在包含空气之环境中执行。14.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之热制程在包含氮气之环境中执行。15.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之热制程在温度大约200至300摄氏温度下执行。16.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之热制程大约执行30-90分钟。图式简单说明:第一图A-第一图L为依照先前技术,例举了形成TFT之步骤之底材的截面视图。第二图为依照本发明例举了形成闸极图案之步骤之TFT的截面视图。第三图为依照本发明例举了在底材上形成堆叠层和正光阻之步骤之TFT的截面视图。第四图为依照本发明例举了第一次背面曝光之后的结果之TFT的截面视图。第五图为依照本发明例举了形成矽化物层之步骤之TFT的截面视图。第六图为依照本发明例举了执行第二背面曝光步骤之TFT的截面视图。第七图为依照本发明例举了蚀刻矽化物层之步骤之TFT的截面视图。第八图为依照本发明例举了形成正光阻之步骤之TFT的截面视图。第九图为依照本发明例举了形成孔洞之步骤之TFT的截面视图。第十图为依照本发明例举了形成第二金属层和第三金属层之步骤之TFT的截面视图。第十一图为依照本发明例举了形成再一层正光阻之步骤之TFT的截面视图。第十二图为依照本发明例举了蚀刻第三金属层之步骤之TFT的截面视图。第十三图为依照本发明例举了在蚀刻了第三金属层之后的结果之半导体晶圆的截面视图。第十四图为依照本发明例举了蚀刻第二金属层之步骤之TFT的截面视图。第十五图为依照本发明例举了蚀刻制程岛屿图案之步骤之TFT的截面视图。第十六图为依照本发明例举了形成保护层之步骤之TFT的截面视图。 |
