| 主权项 |
1.一种场效电晶体,包括:形成在由诸多沟槽结构所定界之一活性区域中之一传导通道;形成在该传导通道上之一闸极氧化物层及一闸极;以及在该传导通道与诸多沟槽结构之一界面处,沿着该传导通道之一侧边的一部份加以延伸之该闸极氧化物层的一部份及闸极。2.根据申请专利范围第1项之场效电晶体,其中,该闸极氧化物层之该部份的一部份及闸极,沿着在该活性区域内的界面加以延伸。3.根据申请专利范围第1项之场效电晶体,其中,该闸极氧化物层之该部份的一部份及闸极,沿着在该沟槽结构之一区域内的界面加以延伸。4.根据申请专利范围第2项之场效电晶体,其中,该闸极氧化物层之该部份的一部份及闸极,沿着在该沟槽结构之一区域内的界面加以延伸。5.根据申请专利范围第1项之场效电晶体,其中,该传导通道的宽度小于1微米。6.一种包括一场效电晶体的积体电路,包括:形成在由诸多沟槽结构所定界之一活性区域中之一传导通道;形成在该传导通道上之一闸极氧化物层及一闸极;以及在该传导通道与诸多沟槽结构之一界面处,沿着该传导通道之一侧边的一部份加以延伸之该闸极氧化物层的一部份及闸极。7.根据申请专利范围第6项之积体电路,其中,该闸极氧化物层之该部份的一部份及闸极,沿着在该活性区域内的界面加以延伸。8.根据申请专利范围第6项之积体电路,其中,该闸极氧化物层之该部份的一部份及闸极,沿着在该沟槽结构之一区域内的界面加以延伸。9.根据申请专利范围第7项之积体电路,其中,该闸极氧化物层之该部份的一部份及闸极,沿着在沟槽结构之一区域内的界面加以延伸。10.根据申请专利范围第1项之积体电路,其中,该传导通道的宽度小于1微米。11.一种用来制造包括一场效电晶体之一半导体元件的方法,该方法包括以下步骤:在一基底之一活性区域的表面处,以及在该活性区域与一沟槽结构之间的界面处,形成一牺牲氧化物层;去除该牺牲氧化物层,以便在该基底中形成一凹槽;以及在该活性区域上方与在该凹槽中,形成一闸极氧化物层及一闸极。12.根据申请专利范围第11项之方法,包括另外一些步骤:在该基底上形成第一衬垫层和第二衬垫层;以及蚀刻该第一衬垫层,以便底切该第二衬垫层。13.根据申请专利范围第11项之方法,其中以热方式生长该牺牲氧化物层的一部份。14.根据申请专利范围第11项之方法,包括关于植入杂质于该基底之活性区域中的另一步骤。15.根据申请专利范围第11项之方法,其中,藉着从该沟槽结构中去除材料来形成该凹槽的一部份。16.根据申请专利范围第11项之方法,其中,藉着从该基底的活性区域中去除材料来形成该凹槽的一部份。17.根据申请专利范围第16项之方法,其中该去除步骤包括:将该活性区域之一转角变圆。18.根据申请专利范围第15项之方法,其中,藉着从该基底的活性区域中去除材料来形成该凹槽的一部份。19.根据申请专利范围第18项之方法,其中该去除步骤包括:将该活性区域之一转角变圆。20.根据申请专利范围第11项之方法,包括另一步骤:以一种绝缘体填充该沟槽结构。图式简单说明:第一图a和第一图b皆为显示转角传导之电场分布(profiles)的场效电晶体之横截面图;第二图,第三图,第四图,第五图,第六图,第七图及第八图皆为根据本发明之一场效电晶体的诸多制造阶段之横截面图;第九图显示:根据本发明之一已完成电晶体之一横截面图;第十图描绘出:根据本发明的临限电压与闸极卷绕距离之间的关系;第十一图,第十二图及第十三图皆为图解说明:根据本发明,在第二图到第九图中所图解说明的较佳制程之一通则(generalization)的横截面图;第十四图图解说明:与第五图和第六图或第十一图共同描述的制程细节;以及第十五图描绘出:根据本发明的临限电压与转角变圆轮廓(以一衬垫氧化物层的蚀刻时间表示)之间的关系。 |
