| 主权项 |
1.一种讯号传输方法,其中多数讯号沿着它们相关的讯号线传输,其中如果多数之讯号线包括在电位增加处理中之讯号线和在电位减少处理中之讯号线,则在电位减少处理中讯号线之电荷再分配至在电位增加处理中之讯号线。2.如申请专利范围第1项所述之讯号传输方法,其中提供多对在电位增加处理中之讯号线和在电位减少处理中之讯号线,每对讯号线包含在电位增加处理之一讯号线和在电位减少处理之一讯号线,和在电位减少处理中之讯号线之电荷至在电位增加处理之讯号线之再分配操作同时在每对讯号线中执行。3.如申请专利范围第1项所述之讯号传输方法,其中电位减少处理之讯号线之电荷再分配至电位增加处理之讯号线之后,在电位减少处理中另一讯号线之电荷至在电位增加处理之讯号线之再分配处理乃重覆执行以步阶的增加在电位增加处理之讯号线之位准。4.如申请专利范围第1项所述之讯号传输方法,其中如果相关讯号线之电位循环的改变,且每个改变和其相邻之改变以一特殊之间隔作相移位时,在电位减少处理中之讯号线之电荷再分配至在电位增加处理中之讯号线。5.如申请专利范围第1项所述之讯号传输方法,其中提供偶数之讯号线,该偶数讯号线包括多数在电位增加处理中之讯号线和多数在电位减少处理中之讯号线,在电位增加处理中之讯号线数目等于在电位减少处理中之讯号线数目,具有第一电源电位之电荷供应至在电位增加处理中之所有讯号线中具有最高电位之讯号线,而在电位减少处理中所有讯号线中具有最低电位之讯号线之电荷释放至第二电源电位,该第二电源电位和第一电源电位间只有有限的差异,和同时以电荷之供应和释放,电荷再分配可在电位增加处理中之每个其它讯号线和在电位减少处理中相关的讯号线间执行。6.如申请专利范围第1项所述之讯号传输方法,其中提供奇数个讯号线,该奇数个讯号线包含多数在电位增加处理中之讯号线和多数在电位减少处理中之讯号线,在电位增加处理中之讯号线数目和在电位减少处理中之讯号线数目差一,当在电位增加处理中讯号线之数目比在电位减少处理中讯号线之数目多一个时,具有第一电源电位之电荷供应至在电位增加处理中所有讯号线中具有最高电位之讯号线,而电荷再分配在电位增加处理中之其它讯号线和在电位减少处理中之讯号线间同时执行,在电位增加处理中之其它讯号线之数目和在电位减少处理中讯号线之数目相等,和当在电位增加处理中讯号线之数目比在电位减少处理中讯号线之数目少一个时,在电位减少处理中所有讯号线中具有最低位准之讯号线之电荷释放至和第一电源电位间只有有限差异之第二电源电位,而电荷再分配在电位增加处理中之讯号线和在电位减少处理中之其它讯号线间同时执行,在电位增加处理中之讯号线数目和在电位减少处理中其它讯号线数目相等。7.如申请专利范围第1项所述之讯号传输方法,其中电荷再分配在电位减少处理中之讯号线和电位增加处理中之讯号线间重覆执行特殊之次数,且只有在电荷再分配后,具有第一电源电位之电荷供应至在电位增加处理之所有讯号线中具有最高电位之讯号线,而在电位减少处理之所有讯号线中具有最低电位之讯号线之电荷释放至和第一电源电位仅有有限差异之第二电源电位。8.如申请专利范围第1项所述之讯号传输方法,其中相关讯号线之电容値相等。9.如申请专利范围第1项所述之讯号传输方法,其中相关讯号线之电容値互相不同。10.一种讯号传输电路包含:多数之讯号线;连接机构用以互相连接多数之讯号线;和控制机构,其藉由该连接机构用以连接在电位增加处理中多数讯号线之一讯号线至在电位减少处理中多数讯号线之一讯号线,因此,在电位减少处理之讯号线之电荷再分配至电位增加处理之讯号线。11.如申请专利范围第10项所述之讯号传输电路,其中该控制机构控制连接机构,因此,在电位增加处理之多对讯号线和电位减少处理之多对讯号线中,每对讯号线包含在电位增加处理中之一讯号线和在电位减少处理中之一讯号线,在电位减少处理中之讯号线之电荷同时再分配至在电位增加处理中之相关讯号线。12.如申请专利范围第10项所述之讯号传输电路,其中控制机构控制连接机构以使,在控制连接机构而使在电位减少处理中讯号线之电荷再分配至在电位增加处理中之讯号线后,在电位减少处理中其它讯号线之电荷再分配至电位增加处理中之讯号线。13.如申请专利范围第10项所述之讯号传输电路,其中该控制机构接收循环振荡之振荡讯号,和控制连接机构以使执行电荷再分配之两讯号线在振荡讯号之每个特殊数目之循环中新结合。14.如申请专利范围第10项所述之讯号传输电路,进一步包含具有第一电源电位之第一电位累积机构;和具有与第一电源电位仅有有限差异之第二电源电位之第二电位累积机构,其中连接机构具有电源连接机构用以连接多数之讯号线至第一电位累积机构和第二电位累积机构,和控制机构控制连接机构之电源连接机构以使具有第一电源电位之电荷供应至在电位增加处理之所有讯号线中具有最高电压之讯号线之供应电荷操作和在电位减少处理之所有讯号线中具有最低电位之讯号线释放电荷至第二电源电位之电荷释放操作可同时或不同时执行。15.如申请专利范围第14项所述之讯号传输电路,其中该控制机构接收循环振荡之振荡讯号,和控制电源连接机构以使具有第一电源电位之电荷供应至在电位增加处理之所有讯号线中具有最高电位之讯号线之供应电荷操作和在电位减少处理之所有讯号线中具有最低电位之讯号线释放电荷至第二电源电位之电荷释放操作同时执行,该两同时操作在由振荡讯号之多数循环所形成相当于一循环之期间重覆的执行。16.如申请专利范围第10项所述之讯号传输电路,其中连接机构由CMOS电晶体所组成。17.如申请专利范围第14项所述之讯号传输电路,其中电源连接机构由用以连接每一讯号线至第一电位累积机构之第一电源连接机构和用以连接每一讯号线至第二电位累积机构之第二电源连接机构所组成,和第一电源连接机构由PMOS电晶体所构成,而第二电源连接机构由NMOS所构成。18.如申请专利范围第14项所述之讯号传输电路,其中每个第一电位累积机构和第二电位累积机构出电源线所构成,该两电源线间具有有限之电位差异。19.如申请专利范围第14项所述之讯号传输电路,其中每个第一电位累积机构和第二电位累积机构由电容和电容预充电机构组成,两电容之预充电位准间具有有限的位准差异。20.如申请专利范围第19项所述之讯号传输电路,其中电容预充电机构在振荡讯号之特定数目循环之一些时间将电容连接至电源线。21.一种半导体积体电路,包含讯号传输电路和操作电路用以执行特殊之操作以回应由讯号传输电路传输来之讯号,其中该讯号传输电路包含:多数之讯号线;连接机构用以互相连接多数之讯号线;和控制机构,其藉由该连接机构用以连接在电位增加处理中多数讯号线之一讯号线至在电位减少处理中多数讯号线之一讯号线,因此,在电位减少处理之讯号线之电荷再分配至电位增加处理之讯号线。22.如申请专利范围第21项所述之半导体积体电路,其中该控制机构控制连接机构,因此,在电位增加处理之多对讯号线和电位减少处理之多对讯号线中,每对讯号线包含在电位增加处理中之一讯号线和在电位减少处理中之一讯号线,在电位减少处理中之讯号线之电荷同时再分配至在电位增加处理中之相关讯号线。23.如申请专利范围第21项所述之半导体积体电路,其中控制机构控制连接机构以使,在控制连接机构而使在电位减少处理中讯号线之电荷再分配至在电位增加处理中之讯号线后,在电位减少处理中其它讯号线之电荷再分配至电位增加处理中之讯号线。24.如申请专利范围第21项所述之半导体积体电路,其中该控制机构接收循环振荡之振荡讯号,和控制连接机构以使执行电荷再分配之两讯号线在振荡讯号之每个特殊数目之循环中新结合。25.如申请专利范围第21项所述之半导体积体电路,进一步包含具有第一电源电位之第一电位累积机构;和具有与第一电源电位仅有有限差异之第二电源电位之第二电位累积机构,其中连接机构具有电源连接机构用以连接多数之讯号线至第一电位累积机构和第二电位累积机构,和控制机构控制连接机构之电源连接机构以使具有第一电源电位之电荷供应至在电位增加处理之所有讯号线中具有最高电压之讯号线之供应电荷操作和在电位减少处理之所有讯号线中具有最低电位之讯号线释放电荷至第二电源电位之电荷释放操作可同时或不同时执行。26.如申请专利范围第25项所述之半导体积体电路,其中该控制机构接收循环振荡之振荡讯号,和控制电源连接机构以使具有第一电源电位之电荷供应至在电位增加处理之所有讯号线中具有最高电位之讯号线之供应电荷操作和在电位减少处理之所有讯号线中具有最低电位之讯号线释放电荷至第二电源电位之电荷释放操作同时执行,该两同时操作在由振荡讯号之多数循环所形成相当于一循环之期间重覆的执行。27.如申请专利范围第21项所述之半导体积体电路,其中连接机构由CMOS电晶体所组成。28.如申请专利范围第25项所述之半导体积体电路,其中电源连接机构由用以连接每一讯号线至第一电位累积机构之第一电源连接机构和用以连接每一讯号线至第二电位累积机构之第二电源连接机构所组成,和第一电源连接机构由PMOS电晶体所构成,而第二电源连接机构由NMOS所构成。29.如申请专利范围第25项所述之半导体积体电路,其中每个第一电位累积机构和第二电位累积机构由电源线所构成,该两电源线间具有有限之电位差异。30.如申请专利范围第25项所述之半导体积体电路,其中每个第一电位累积机构和第二电位累积机构由电容和电容预充电机构组成,两电容之预充电位准间具有有限的位准差异。31.如申请专利范围第30项所述之半导体积体电路,其中电容预充电机构在振荡讯号之特定数目循环之一些时间将电容连接至电源线。32.如申请专利范围第21项所述之半导体积体电路,其中讯号传输电路亦当成讯号产生电路用以产生沿着多数讯号线传输之讯号。33.如申请专利范围第21项所述之半导体积体电路,其中操作电路为多数之充电泵电路,和由讯号传输电路传输而来之多数讯号为驱动讯号以供应至相关的充电泵电路。34.如申请专利范围第33项所述之半导体积体电路,其中每个充电泵电路包含:一泵升电容,而由讯号传输电路传输而来之任一讯号输入至该泵升电容;整流机构连接至该泵升电容;和预充电机构用以供应电荷至该泵升电容和该整流机构间之连接点。35.如申请专利范围第34项所述之半导体积体电路,其中相关的整流机构共同连接至一输出结点。36.如申请专利范围第34项所述之半导体积体电路,其中所有整流机构之一部份共同连接至一输出结点,而其它的整流机构共同连接至另一输出结点。37.如申请专利范围第34项所述之半导体积体电路,其中所有泵升电容之电容値实値互相相等。38.如申请专利范围第34项所述之半导体积体电路,其中所有泵升电容之电容値互相不同。39.如申请专利范围第21项所述之半导体积体电路,其中由讯号传输电路传输而来之多数讯号为时钟讯号以供应至相关的操作电路。40.如申请专利范围第39项所述之半导体积体电路,其中操作电路并联操作。图式简单说明:第一图概略的显示第一实施例之全部结构;第二图为第一实施例之讯号传输电路中之连接电路之内部结构;第三图为第一实施例之讯号传输电路中之控制电路之内部结构图;第四图为由第一实施例之讯号传输电路中之控制电路所产生之控制讯号之相关波形图;第五图为在第一实施例之讯号传输电路中之三种型式之时钟讯号之相关波形图;第六图为当四个讯号线提供在第一实施例之讯号传输电路时之时间图;第七图为当四个讯号线提供在第二实施例之讯号传输电路时之时间图;第八图为第三实施例之讯号传输电路之主要部份之结构图;第九图为第四实施例之电源电压产生电路之主要部份之结构图;第十图(a)为充电泵电路之内部结构图;第十图(b)为累积在充电泵电路中之电荷量之变化图;第十一图为相关于增加电压电源之使用因数和增加电源电压产生效率下,由本发明所消耗之电流和由习知实施例所消耗之电流之比较图;第十二图为第五实施例之电源电压产生电路主要部份之结构图;第十三图为第六实施例之半导体积体电路之整体结构图;第十四图为由第六实施例之半导体积体电路之时钟产生电路输出之波形图;第十五图(a)为习知充电泵电路之图;第十五图(b)为说明习知充电泵电路之功能之图;和第十六图为本发明之概图。 |
