制造半导体器件的方法

摘要

一种腐蚀设备,具有一个处理前的衬底保持室、一个衬底传递室、一个处理后的衬底保持室,以及一个腐蚀室。在腐蚀室中,使用氟化卤素气体如ClF₃气体的腐蚀,例如对薄膜晶体管的有源层的腐蚀,是在不使氟化卤素气体离化或等离子增强的情况下进行的。由于不发生等离子损伤,因而防止了在有源层侧表面中陷阱能级的出现,于是抑制了载流子通过陷阱能级的运动,因而使薄膜晶体管中的截止电流值减小。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤： 在衬底上形成半导体膜； 向所述半导体膜中加入含金属材料，以促进所述半导体膜晶化； 使含有所述金属沿平行于衬底方向通过半导体膜扩散的部分的 所述半导体膜晶化；以及 在该晶化半导体膜内形成所述半导体器件的有源层。