| 主权项 |
1.一种在液体(2)中处理基板(1)之方法,其特征为,在将基板(1)从液体(2)中取出时,在基板表面及液体表面(4)交接处形成之液体(2)弯月面(5)被加热。2.根据申请专利范围第1项所述之方法,其特征为,弯月面(5)被照射。3.根据申请专利范围第2项所述之方法,其特征为,照射在弯月面(5)之辐射被聚焦。4.根据申请专利范围第2项所述之方法,其特征为,以电磁辐射加以照射。5.根据申请专利范围第2项所述之方法,其特征为,以微波加以照射。6.根据申请专利范围第2项所述之方法,其特征为,以红外线加以照射。7.根据申请专利范围第2项所述之方法,其特征为,以光加以照射,特别是在可见光波长范围之光。8.根据申请专利范围第2项所述之方法,其特征为,以雷射光加以照射。9.根据申请专利范围第1项所述之方法,其特征为,在加热弯月面(5)之前及/或同时,基板(1)与蒸汽有接触。10.根据申请专利范围第1项所述之方法,其特征为,使用刀形提升装置将基板(1)取出。11.根据申请专利范围第1项所述之方法,其特征为,液体(2)是清洁液体,特别是水。12.根据申请专利范围第1项所述之方法,其特征为,基板(1)是半导体晶圆。13.一种在液体中处理基板(1)之装置,其特征为,具一能量源(6),用以加热在将基板(1)从液体(2)取出时,在基板表面及液体表面(4)交接处形成之弯月面(5)。14.根据申请专利范围第13项所述之装置,其特征为,能量源(6)是一电磁辐射源、一微波源、一光源及/或一雷射。15.根据申请专利范围第14项所述之装置,其特征为,有一将辐射聚焦在弯月面(5)上之聚焦装置(7)。图式简单说明:第一图显示本发明脱乾方法之示意截面图。 |
