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1.一种具五氧化二钽(Ta2O5)介电层之电容器的制造方法,适用于动态随机存取记忆体之记忆胞(DRAMcell),该制造方法包括下列步骤:(a)在一半导体基底上,形成第一导电层当作一电容器的储存电极;(b)形成一层五氧化二钽介电层,覆盖在该储存电极的表面上;(c)对该五氧化二钽介电层表面施以氮化处理,用以生成一薄的氮化钽(TaN)层;以及(d)形成第二导电层,覆盖在该薄的氮化钽层上,当作一电容器的相对电极,完成该电容器的制造。2.如申请专利范围第1项所述一种具五氧化二钽介电层之电容器的制造方法,其中步骤(a)该第一导电层系一复晶矽层。3.如申请专利范围第1项所述一种具五氧化二钽介电层之电容器的制造方法,其中在步骤(b)之前更包括对该储存电极施行一快速热退火程序,其温度约为900℃,并通入氨气(NH3)而处理约60秒钟。4.如申请专利范围第1项所述一种具五氧化二钽介电层之电容器的制造方法,其中步骤(c)该氮化处理的方法系于低压或常压情况下,加温到700至900℃之间,并通入氨气(NH3)做快速热退火处理约30秒至2分钟。5.如申请专利范围第1项所述一种具五氧化二钽介电层之电容器的制造方法,其中步骤(c)该氮化处理的方法包括下列之二段式程序:(i)于压力约为0.2Torr、温度约为900℃情况下,先以氢气(H2)做快速热退火处理约60秒钟;以及(ii)于低压或常压情况下,温度介于700至900℃之间,通入氨气(NH3)做快速热退火处理约30秒至2分钟。6.如申请专利范围第1项所述一种具五氧化二钽介电层之电容器的制造方法,其中步骤(c)该氮化处理的方法系于低压情况下,加温到300至450℃之间,并通入氨气(NH3)和氩气(Ar)作电浆处理约30秒至2分钟。7.如申请专利范围第1项所述一种具五氧化二钽介电层之电容器的制造方法,其中步骤(c)所生成该氮化钽层之厚度系介于20至200A之间。8.如申请专利范围第1项所述一种具五氧化二钽介电层之电容器的制造方法,其中步骤(d)该第二导电层系一复晶矽层。图式简单说明:第一图A至第一图C均为剖面图,绘示一种习知具五氧化二钽介电层之电容器的制造流程;第二图A至第二图C均为剖面图,用以显示依据本发明电容器的制造方法一较佳实施例的制造流程;以及第三图系依据本发明之制造方法,对五氧化二钽介电层经氮化处理后所量测的欧杰(Auger)光谱图,显示其表面部分各组成元素的含量。 |
