| 主权项 |
1.一种在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,包括下列步骤:提供一基底结构,该基底结构的表面上已形成一介电层,且该介电层中已形成一介层洞插塞;于该介电层上形成一内金属介电层;于该内金属介电层上依序形成一绝缘层和一硬罩幕层;于该硬罩幕层上形成一光阻层,且暴露出部份该硬罩幕层的表面;蚀刻该硬罩幕层直到暴露出该绝缘层的表面,且形成一浅沟渠;以氧电浆灰化法和湿式化学移除法去除该光阻层;以该硬罩幕层为罩幕,蚀刻该绝缘层和该内金属介电层,直到暴露出该介层洞插塞,以形成一金属线沟渠;形成与该硬罩幕层和该金属线沟渠共形的一黏着/阻障层;于该黏着/阻障层上形成一金属层,并且填满该金属线沟渠;以一化学机械研磨步骤移除该黏着/阻障层上的该金属层,直至暴露出该绝缘层,并且在该金属线沟渠中形成一金属线,其中该金属线与该介层洞插塞电性耦接;以及进行该化学机械研磨步骤后的一清洗步骤。2.如申请专利范围第1项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中该内金属介电层的材质包括HSQ、FSG、Flare、SILK和Parylene其中之一。3.如申请专利范围第1项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中该内金属介电层的厚度约为5000埃至7000埃。4.如申请专利范围第1项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中该绝缘层包插氧化矽层。5.如申请专利范围第1项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中该绝缘层厚度约为2000埃。6.如申请专利范围第1项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中该硬罩幕层包括钛、氮化钛、钽、氮化钽和氮化钨层其中之一。7.如申请专利范围第1项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中该硬罩幕层的厚度约为300埃至500埃。8.如申请专利范围第1项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中蚀刻该硬罩幕层的方法包括反应性离子蚀刻法。9.如申请专利范围第1项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中蚀刻该绝缘层和该内金属介电层的方法包括反应性离子蚀刻法。10.如申请专利范围第1项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中该黏着/阻障层包括钛、氮化钛、钽、氮化钽和氮化钨层其中之一。11.一种在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中提供一基底结构,该基底结构的表面上已形成一介电层,且该介电层中已形成一介层洞插塞,包括下列步骤:于该介电层上形成一内金属介电层;于该内金属介电层上依序形成一绝缘层和一硬罩幕层;定义该硬罩幕层以形成一浅沟渠,且暴露出部份该绝缘层的表面;以该硬罩幕层为罩幕,蚀刻该绝缘层和该内金属介电层,直到暴露出该介层洞插塞,以形成一金属线沟渠;于该硬罩幕层上形成一金属层,并且填满该金属线沟渠;以及移除该硬罩幕层上的该金属层,直至暴露出该绝缘层,并且在该金属线沟渠中形成一金属线,其中该金属线与该介层洞插塞电性耦接。12.如申请专利范围第11项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中该内金属介电层的材质包括HSQ、FSG、Flare、SILK和Parylene其中之一。13.如申请专利范围第11项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中该内金属介电层的厚度约为5000埃至7000埃。14.如申请专利范围第11项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中该绝缘层包括氧化矽层。15.如申请专利范围第11项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中该绝缘层厚度约为2000埃。16.如申请专利范围第11项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中该硬罩幕层包括钛、氮化钛、钽、氮化钽和氮化钨层其中之一。17.如申请专利范围第11项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中该硬罩幕层的厚度约为300埃至500埃。18.如申请专利范围第11项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中定义该硬罩幕层的步骤包括:于该硬罩幕层上形成一光阻层,且暴露出部份该硬罩幕层的表面;蚀刻该硬罩幕层直到暴露出该绝缘层的表面,且形成该浅沟渠;以及以氧电浆灰化法和湿式化学移除法去除该光阻层。19.如申请专利范围第18项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中蚀刻该硬罩幕层的方法包括反应性离子蚀刻法。20.如申请专利范围第11项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中蚀刻该绝缘层和该内金属介电层的方法包括反应性离子蚀刻法。21.如申请专利范围第11项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中形成该金属层的方法更包括形成与该硬罩幕层和该金属线沟渠共形的一黏着/阻障层。22.如申请专利范围第21项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中该黏着/阻障层包括钛、氮化钛、钽、氮化钽和氮化钨层其中之一。23.如申请专利范围第11项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中移除该硬罩幕层上的该金属层的方法包括一化学机械研磨步骤,并且在该化学机械研磨步骤之后进行一清洗步骤。24.一种在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中提供一基底结构,该基底结构的表面上已形成一介电层,且该介电层中已形成一介层洞插塞,包括下列步骤:于该介电层上形成一内金属介电层;于该内金属介电层上形成一硬罩幕层;定义该硬罩幕层以形成一浅沟渠,且暴露出部份该内金属介电层的表面;以该硬罩幕层为罩幕,蚀刻该内金属介电层,直到暴露出该介层洞插塞,以形成一金属线沟渠;于该硬罩幕层上形成一金属层,并且填满该金属线沟渠;以及移除该硬罩幕层上的该金属层,直至暴露出该硬罩幕层,并且在该金属线沟渠中形成一金属线,其中该金属线与该介层洞插塞电性耦接。25.如申请专利范围第24项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中该内金属介电层的材质包括HSQ、FSG、Flare、SILK和Parylene其中之一。26.如申请专利范围第24项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中该内金属介电层的厚度约为5000埃至7000埃。27.如申请专利范围第24项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中形成该硬罩幕层之前更包括形成一绝缘层。28.如申请专利范围第27项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中该绝缘层包括氧化矽层。29.如申请专利范围第27项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中该绝缘层厚度约为2000埃。30.如申请专利范围第24项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中该硬罩幕层包括钛、氮化钛、钽、氮化钽和氮化钨层其中之一。31.如申请专利范围第24项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中该硬罩幕层的厚度约为300埃至500埃。32.如申请专利范围第24项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中定义该硬罩幕层的步骤包括:于该硬罩幕层上形成一光阻层,且暴露出部份该硬罩幕层的表面;蚀刻该硬罩幕层直到暴露出该内金属介电层的表面,且形成该浅沟渠;以及以氧电浆灰化法和湿式化学移除法去除该光阻层。33.如申请专利范围第32项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中蚀刻该硬罩幕层的方法包括反应性离子蚀刻法。34.如申请专利范围第24项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中蚀刻该内金属介电层的方法包括反应性离子蚀刻法。35.如申请专利范围第24项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中形成该金属层的方法更包括形成与该硬罩幕层和该金属线沟渠共形的一黏着/阻障层,且该黏着/阻障层与该介电层相接触。36.如申请专利范围第35项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中该黏着/阻障层包括钛、氮化钛、钽、氮化钽和氮化钨层其中之一。37.如申请专利范围第24项所述之在低介电常数介电层中形成金属内连线的方法,其中移除该硬罩幕层上的该金属层的方法包括一化学机械研磨步骤,并且在该化学机械研磨步骤之后进行一清洗步骤。图式简单说明:第一图A至第一图E系绘示习知在低介电常数介电层中形成金属内连线之制造流程的剖面示意图;以及第二图A至第二图F系绘示根据本发明之一较佳实施例,一种在低介电常数介电层中形成金属内连线之制造流程的剖面示意图。 |
