半导体器件及其制造方法

摘要

一种制造半导体器件，例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于：在衬底上选择形成含有催化作用的材料的物质；在所说的衬底上形成基本上为非晶态并且与说的物质相接触的硅膜；以及在至少包含氧、氮、氢中的一种气体的气氛中将衬底退火；其中所说的硅膜的结晶化是在退火中由所说的催化作用引起的。