发明名称 一种量子点发光二极管及其制备方法
摘要 本发明涉及一种量子点发光二极管及其制备方法,发光二极管的结构依次为阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极;其中,电子传输层为[6,6]‑苯基‑C61‑丁酸甲酯PCBM薄膜。制备方法为旋涂法。本发明的电子传输层能有效提高激子复合几率和器件的发光效率,同时,量子点发光二极管为典型的三明治结构,采用旋涂法层层组装,制备方法简单易行,利于制作大面积的发光器件,在量子点发光二极管领域具有广泛的应用前景。
申请公布号 CN106098884A 申请公布日期 2016.11.09
申请号 CN201610536681.2 申请日期 2016.07.08
申请人 东华大学 发明人 李耀刚;王艳伟;李佳慧;王宏志;张青红
分类号 H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I 主分类号 H01L33/06(2010.01)I
代理机构 上海泰能知识产权代理事务所 31233 代理人 黄志达;魏峯
主权项 一种量子点发光二极管,其特征在于:所述量子点发光二极管的结构依次为阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极;其中,电子传输层为[6,6]‑苯基‑C61‑丁酸甲酯PCBM薄膜。
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