| 主权项 |
1.一种触媒组合物,其至少包含:a)一种具[(A)(B)ML+]式之金属化合物阳离子,其中M代表钛,锆,或铪,其中A与B代表有结构I或II之配位基其中R1独立代表视情况含杂原子之相同或不同烃基,R3独立代表视情况含杂原子之相同或不同烃基或卤化物,又其中R取代基可分配在A与B间作桥,其中m系0-5整数,p为0-4整数,及q系0-3整数,其中L代表氢或视情况含杂原子之烃基,条件为若A与B二者皆系带结构I或II之配位基,至少m,p或q之一项系至少1,及b)一种非配位稳定的阴离子。2.根据申请专利范围第1项之触媒组合物,其中金属化合物阳离子有结构III其中M=钛或锆其中A=有结构I或II之配位基其中R1及R2独立为视情况含杂原子之相同或不同烃基,及R3系一视情况含杂原子之烃基,或卤化物,R2可与R1或R3组合成桥:其中m系0-5整数,p为0-4整数,及q系0-3整数,n为1-5整数;其中L代表氢或视情况含杂原子之烃基。3.根据申请专利范围第2项之触媒组合物,其中R2系自3至15碳原子并视情况含杂原子之分枝烃基。4.根据申请专利范围第3项之触媒组合物,其中R2系第三丁基或二甲代甲矽烷基。5.根据申请专利范围第1至4项中任一项之触媒组合物,其中非配位阴离子有[RB(Ar)3-]式其中Ar代表强拉电子的烃基;其中R系Ar,氢化基或视情况含杂原子之烃基。6.根据申请专利范围第5项之触媒组合物,其中Ar为C6F5或3,5-(CF3)2C6H3。7.根据申请专利范围第1项之触媒组合物,其可由(A)(B)ML2式之金属化合物,其中A,B,M与L如申请专利范围第1项所定义,与非配位的稳定阴离子之盐反应而得。8.根据申请专利范围第7项之触媒组合物,其中非配位的稳定阴离子之盐为D+[B(Ar)4]-或B(Ar)3其中Ar系强拉电子的烃基,而D为能与金属化合物之一个L反应生成化合物DL之阳离子。9.一种制备触媒组合物之方法,其包括使(a)与(b)反应:a)一种具(A)(B)ML2式之金属化合物,其中M代表钛,锆或铪,其中A及B代表有结构I或II之配位基其中R1独立代表视情况含杂原子之相同或不同烃基,R3独立代表视情况含杂原子之相同或不同烃基或卤化物,又其中R取代基可分配在A与B间作桥,其中m系0-5整数,p为0-4整数,及q系0-3整数,其中L代表氢或视情况含杂原子之烃基,条件为若A与B二者皆系带结构I或II之配位基,至少m,p或q之一项系至少1;与b)非配位稳定阴离子之盐。10.一种氢化烯烃或含乙烯系不饱和度的齐聚物、聚合物或共聚物之方法,其系使用根据申请专利范围第1-8项中任一项之氢化作用触媒组合物。11.一种氢化共轭二烯的均聚物或嵌段共聚物之方法,其中嵌段共聚物含有至少一个聚(单乙烯芳基)嵌段与至少一个聚(直线或分枝共轭二烯)嵌段,其系使用根据申请专利范围第1-8项中任一项之氢化作用触媒组合物。12.根据申请专利范围第11项之方法,其中触媒组合物系以使每100克聚合物含有0.1至0.75克之第4族金属之浓度存在。 |
