| 主权项 |
1.一种发光组件之制造方法,在基体(1)之正面上形成一种含有至少一层活性层(3)之层序列(2,3,4,5)之后须去除基体(1)之至少一部份且层序列(2,3,4,5)随后须与外部基体(9)相连接,在层序列(2,3,4,5)之与已去除之基体(1)之正面相对之背面(6)上沈积第一金属接触层(7)且在外部基体(9)之正面(8)上沈积第二金属接触层(10);层序列(2,3,4,5)之已涂层的背面(6)在热作用下与外部基体(9)之已涂层的正面(8)互相连接,本方法之特征为:分别沈积在外部基体(9)之正面(8)上以及沈积在层序列(2,3,4,5)之背面(6)上之第一和第二金属接触层(7,10)须被结构化;第一和第二金属接触层(7,10)藉由共熔之连结方式而互相连接。2.如申请专利范围第1项之方法,其中为了共熔性地连结第一和第二金属接触层(7,10),须使用一种含金之焊接层(11)。3.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中外部基体(9)是由透明之材料所构成。4.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中以磊晶方式沈积在GaAs-基体(1)上之层序列(2,3,4,5)具有一种含有lnGaAlP及/或GaAs及/或AlGaAs-之活性层(3)。5.如申请专利范围第3项之方法,其中以磊晶方式沈积在GaAs-基体(1)上之层序列(2,3,4,5)具有一种含有InGaAlP及/或GaAs及/或AlGaAs-之活性层(3)。6.如申请专利范围第4项之方法,其中以磊晶方式沈积之层序列(2,3,4,5)是由基体(1)开始而具有第一外罩层(2),活性层(3),第二外罩层(4)以及耦合层(5)。7.如申请专利范围第5项之方法,其中以磊晶方式沈积之层序列(2,3,4,5)是由基体(1)开始而具有第一外罩层(2),活性层(3),第二外罩层(4)以及耦合层(5)。8.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中须在晶圆叠合结构(Verbund)中制造许多发光组件,其中晶圆之直径是2寸或更大。9.如申请专利范围第3项之方法,其中须在晶圆叠合结构(Verbund)中制造许多发光组件,其中晶圆之直径是2寸或更大。10.如申请专利范围第6项之方法,其中须在晶圆叠合结构(Verbund)中制造许多发光组件,其中晶圆之直径是2寸或更大。11.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中在层序列(2,3,4,5)之远离基体(1)或外部基体(9)之正面上须制成一种耦合层(5),且在耦合层(5)上设置一种特别结构化之沈积金属电极层(13)。12.如申请专利范围第3项之方法,其中在层序列(2,3,4,5)之远离基体(1)或外部基体(9)之正面上须制成一种耦合层(5),且在耦合层(5)上设置一种特别结构化之沈积金属电极层(13)。13.如申请专利范围第6项之方法,其中在层序列(2,3,4,5)之远离基体(1)或外部基体(9)之正面上须制成一种耦合层(5),且在耦合层(5)上设置一种特别结构化之沈积金属电极层(13)。14.一种发光组件之制造方法,在基体(1)之正面上形成一种含有至少一层活性层(3)之层序列(2,3,4,5)之后须去除基体(1)之至少一部份且层序列(2,3,4,5)随后须与外部基体(9)相连接,在层序列(2,3,4,5)之与已去除之基体(1)之正面相对之背面(6)上沈积第一金属接触层(7)且在外部基体(9)之正面(8)上沈积第二金属接触层(10);层序列(2,3,4,5)之已涂层的背面(6)在热作用下与外部基体(9)之已涂层的正面(8)互相连接,本方法之特征为:分别沈积在外部基体(9)之正面(8)上以及沈积在层序列(2,3,4,5)之背面(6)上之第一和第二金属接触层(7,10)须被结构化;基体(1)藉由湿式化学蚀刻而以对基体材料具有选择性之余刻剂来去除。15.如申请专利范围第14项之方法,其中基体(1)之湿式化学蚀刻是在基体(1)之机械式薄化过程之后进行的。图式简单说明:第一图以磊晶方式沈积在基体上之层序列的横切面图。第二图在相对较厚之基体被蚀刻之后的横切面图。第三图依据本发明所制成之发光组件之图解,其具有以共熔方式连结在外部基体上之层序列。 |
