| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 制造高稳定性的和高可靠性的半导体的方法，包括：在非晶硅膜表面覆盖以含有能加速非晶硅膜晶化的催化元素的溶液，并在此之后对非晶硅膜热处理以使此膜晶化。 | ||
| 申请公布号 | CN1054943C | 申请公布日期 | 2000.07.26 |
| 申请号 | CN94112820.2 | 申请日期 | 1994.10.28 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 大谷久;宫永昭治;福永健司;张宏勇 |
| 分类号 | H01L21/208;H01L21/00;H01L21/228 | 主分类号 | H01L21/208 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 萧掬昌;王忠忠 |
| 主权项 | 1.制造半导体器件的一种方法，其特征在于，它包括下列步骤：制备含溶解或分散在液体中的物质的溶液，所述物质含促进硅的晶化过程的催化剂，所述溶液含表面活性剂；令所述溶液与绝缘表面上含硅的半导体膜接触；形成含所述催化剂的连续层，使之与所述半导体膜接触；然后加热，使所述半导体膜晶化，在上述晶化工序之后，所述半导体膜含浓度等于或低于1×1019原子/立方厘米的所述催化剂。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||