| 主权项 |
/AIT{1.一种半导体装置,其中用以保护一半导体装置内部的保护电路(H11.H12.H13.H21、H22.H23.H111)系藉着将各种不同的电压提供给该半导体装置而连接至复数端子(T1.T2),该端子系包括至少一第一端子(T1),其中该保护电路系包括:}/ait{一第一电路(H11.H21.H111),其系连接在第一端子(T1)和一负电位线之间,两用以提供负电位;及}/ait{一第二电路(H13.H23),其系连接在第一端子(T1)和一地电位线之间,而用以提供地电位。}/AIT{2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该等保护电路系进一步包括连接在该地端电位线和一第二端子(T2)之间的一第三电路(H12.H22)。}/AIT{3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中该第一电路系由一MOS电晶体(H11)、一双极电晶体(H21)、和一二极体(H111)的其中一个所构成,而该第二和第三电路系由一MOS电晶体(H13.H12)或一双极电晶体(H23.H22)所构成。}/AIT{4.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中该第一电路系由一第一MOS电晶体(H11)所构成,而该电晶体的一汲极(10)系与该第一端子(T1)连接,一源极(8)系与该负电位线连接,而一闸极(9)系与或该第一端子(T1)或该负电位线连接,}/ait{该第二电路系由一第二MOS电晶体(H13)所构成,该电晶体的一汲极(10)系与该第一端子(T1)连接,一源极(19)系与该地电位线连接,而一闸极(18)系与该第一端子(T1)或该地电位线连接,及}/ait{该第三电路系由一第三MOS电晶体(H12)所构成,而该电晶体的一汲极(13)系与该第二端子(T2)连接,一源极(11)系与该地电位线连接,而一闸极(12)系与该第二端子(T2)或该地电位线连接。}/AIT{5.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中该第一电路系由一第一双极电晶体(H21)所构成,而该电晶体的一射极(22)系与该第一端子(T1)连接,而一基极(21)和一集极(20)系各与该负电位线连接,}/ait{该第二电路系由一第二双极电晶体(H23)所构成,而该电晶体的一射极(22)系与该第一端子(T1)连接,一基极(26)系与该负电位线连接,而一集极(27)系与该地电位线连接,及}/ait{该第三电路系由一第三双极(H22)电晶体所构成,而该电晶体的一射极(25)系与该第二端子(T2)连接,而一基极(24)和一集极(23)系各与该地电位线连接。}/AIT{6.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中该第一电路系由在第一端子(T1)和负电位线之间的一二极体(H111)构成,}/ait{该第二电路系由一MOS电晶体(H13)所构成,该电晶体的一汲极(10)系与该第一端子(T1)连接,一源极(19)系与该地电位线连接,而一闸极(18)系与该第一端子(T1)或该地电位线连接,及}/ait{该第三电路系由一MOS电晶体(H12)所构成,而该电晶体的一汲极(13)系与该第二端子(T2)连接,一源极(11)系与该地电位线连接,而一闸极(12)系与该第二端子(T2)或该地电位线连接。}/AIT{7.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中该第一电路系由在第一端子(T1)和负电位线之间所提供的一二极体(H111)构成,}/ait{该第二电路系由一双极电晶体(H23)所构成,而该电晶体的一射极(22)系与该第一端子(T1)连接,一基极(26)系与该负电位线连接,而一集极(27)系与该地电位线连接,及}/ait{该第三电路系由一双极电晶体(H22)所构成,而该电晶体的一射极(25)系与该第二端子(T2)连接,而一基极(24)和一集极(23)系各与该地电位线连接。}/AIT{8.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中该等第一、第二、和第三电路的工作电压系分别根据该等第一和第二端子(T1.T2)的工作电压而改变。}/AIT{9.如申请专利范围第8项之半导体装置,其中该等第一、第二、和第三电路系由一MOS电晶体(H11.H13.H12)构成,其中一闸极系与一汲极或一源极连接。}/tt第一图A和第一图B系分别显示本发明半导体装置的第一具体实施例的截面电路图及等效电路图;第二图A和第二图B系分别显示本发明半导体装置的第二具体实施例的截面电路图及等效电路图;第三图A和第三图B系分别显示本发明半导体装置的第三具体实施例的截面电路图及等效电路图;第四图A和第四图B系分别显示本发明半导体装置的第四具体实施例的截面电路图及等效电路图;第五图系显示整个通常全晶体影像感测装置的图式;第六图A和第六图B系分别显示传统CCD全晶体影像感测装置的截面图和等效电路图;及第七图系显示保护电路的迅速恢复特征。 |
