| 主权项 |
1.一种金氧半元件的制造方法,应用于具有一第一闸极与一第二闸极的一基底上,该金氧半元件的制造方法包括:于该第一闸极与该第二闸极上形成一薄膜层;于该第一闸极及其上之该薄膜层的侧壁形成第一间隙壁,且于该第二闸极及其上之该薄膜层的侧壁形成第二间隙壁;去除该薄膜层;回蚀刻该第二间隙壁,使该第二间隙壁形成低于该第二闸极的一第三间隙壁;以及于该第一闸极与该第二闸极上形成自行对准金属矽化物。2.如申请专利范围第1项所述金氧半元件的制造方法,其中回蚀刻该第二间隙壁的方法包括:形成一光阻层覆盖该第一闸极之该第一间隙壁;以该光阻层为罩幕,非等向性蚀刻该第二间隙壁,以形成该第三间隙壁;以及去除该光阻层。3.如申请专利范围第1项所述金氧半元件的制造方法,其中该第一闸极包括PMOS电晶体之闸极。4.如申请专利范围第1项所述金氧半元件的制造方法,其中该第二闸极包括NMOS电晶体之闸极。5.一种金气半元件的结构,包括:一基底;一第一闸极与一第二闸极,配置在该基底上;一第一间隙壁,位于该第一闸极之侧壁,其中该第一间隙壁高于该第一闸极;一第二间隙壁,位于该第二闸极之侧壁,其中该第二间隙壁低于该第二闸极;以及一自行对准金属矽化物,形成在该第一闸极与该第二闸极上。6.如申请专利范围第5项所述金氧半元件的结构,其中该第一闸极包括PMOS电晶体之闸极。7.如申请专利范围第5项所述金氧半元件的结构,其中该第二闸极包括NMOS电晶体之闸极。图式简单说明:第一图A到第一图F绘示根据本发明之较佳实施例,一种金氧半元件的制造流程剖面示意图。 |
