| 主权项 |
1.一种半导体装置,属于具有一主面的半导体元件,及该半导体元件之上述一主面具有沿着一个方向之领域的第一引线,及配置于与上述领域之方向的复数第二引线,及介装于上述两引线与上述半导体元件之间的绝缘薄膜,及具有封闭上述半导体元件之上述一主面之树脂的半导体装置,其特征为:上述第一引线系以铜系材料所形成,上述第一引线系具有引线宽度狭窄之部分,而上述引线宽度之狭窄部分位于上述领域者。2.一种半导体装置,属于具有一主面的半导体元件,及该半导体元件之上述一主面具有沿着一个方向之领域的第一引线,及配置于与上述领域之方向的复数第二引线,及升装于上述两引线与上述半导体元件之间的绝缘薄膜,及具有封闭上述半导体元件之上述一主面之树脂的半导体装置,其特征为:上述第一引线系以铜系材料所形成,上述第一引线系具有引线厚度之较薄部分,而上述引线厚度之较薄部分位于上述领域者。3.一种半导体装置,属于具有一主面的半导体元件,及该半导体元件之上述一主面具有沿着一个方向之领域的第一引线,及配置于与上述领域之方向的复数第二引线,及介装于上述两引线与上述半导体元件之间的绝缘薄膜,及具有封闭上述半导体元件之上述一主面之树脂的半导体装置,其特征为:上述第一引线系以铜系材料所形成,在上述第一引线之上述领域,沟槽形成于与上述第一引线之上述半导体元件对应之面者。4.一种半导体装置,属于具有一主面的半导体元件,及该半导体元件之上述一主面具有沿着一个方向之领域的第一引线,及配置于与上述领域之方向的复数第二引线,及介装于上述两引线与上述半导体元件之间的绝缘薄膜,及具有封闭上述半导体元件之上述一主面之树脂的半导体装置,其特征为:上述第一引线系以铜系材料所形成,在上述第一引线之上述领域形成有沿着上述一个方向的开缝者。5.一种半导体装置,属于具有一主面的半导体元件,及该半导体元件之上述一主面具有沿着一个方向之领域的第一引线,及配置于与上述领域之方向的复数第二引线,及介装于上述两引线与上述半导体元件之间的绝缘薄膜,及具有封闭上述半导体元件之上述一主面之树脂的半导体装置,其特征为:上述第一引线系以铜系材料所形成,上述领域以外之上述第一引线从比上述第一引线框之上述领域的端部更内侧取出者。6.一种半导体装置,属于具有一主面的半导体元件,及该半导体元件之上述一主面具有沿着一个方向之领域的第一引线,及配置于与上述领域之方向的复数第二引线,及介装于上述两引线与上述半导体元件之间的绝缘薄膜,及具有封闭上述半导体元件之上述一主面之树脂的半导体装置,其特征为:上述第一引线系以铜系材料所形成,上述半导体元件之上述领域一引线侧的上述封闭树脂之厚度的设计値为0.37(mm),上述领域之上述第一引线的宽度W(mm),及上述领域之第一引线的厚度t(mm)之关系,为以W≦1.95t+0.44表示者。图式简单说明:第一图系表示本发明之第一实施例之半导体装置的平面图及剖面图。第二图系表示本发明之第二实施例之半导体装置的剖面图。第三图系表示本发明之第三实施例之半导体装置的剖面图。第四图系表示本发明之第四实施例之半导体装置的剖面图。第五图系表示本发明之第五实施例之半导体装置的剖面图。第六图系表示本发明之第六实施例之半导体装置的剖面图。第七图系表示本发明之第七实施例之半导体装置的剖面图。第八图系表示本发明之第八实施例之半导体装置的剖面图。第九图系表示本发明之第九实施例之半导体装置的剖面图。第十图系表示LOC封装构造的斜视图。第十一图系表示封装裂纹发生机构之半导体装置的剖面图。第十二图系表示图流加热时之共有内引线下面黏接界面之剪应力分布的图式。第十三图系表示模制后之共有内引线下面与中央侧侧面黏接界面之应力分布的图式。第十四图系表示共有内引线剥离端之树脂之应力强度因子范围的图式。第十五图系表示防止温度循环时之树脂裂纹之共有内引线之厚度与宽度之关系的图式。第十六图系表示以往的LOC封装之引线框形状的平面图及剖面图。第十七图系表示依共有内引线下面半蚀刻之减低应力效果的图式。 |
