| 主权项 |
1.一种用以静电夹持工作件之装置,包含:一压板总成,限定一电绝缘夹持表面以接纳一工作件,该压板总成包含电极在该夹持表面之下并与其成电绝缘,及一介电质层在该电极及夹持表面之间,该介电质层具有一周围,其为倾斜以限定一第一钝边缘,该边缘形成夹持表面之边界,及一第二边缘与工作件分开;及一夹持控制电路,用以施加夹持电压至该等电极,以静电夹持在该夹持表面上固定位置之工作件。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该介电质层之斜角周围限定一斜角表面,该表面与位于夹持表面上之工作件形成一小于10度之角。3.如申请专利范围第1项之装置,其中该第二边缘与在该夹持表面之工作件分开至少0.004寸。4.如申请专利范围第1项之装置,其中该介电质层之斜角周围限定一倾斜表面,其位于该等电极外部。5.如申请专利范围第1项之装置,其中该介电质层包含一材料,系选自氧化铝、碳化矽及氮化铝所组成之一组材料。6.如申请专利范围第1项之装置,其中该介电质层包含氧化铝。7.如申请专利范围第6项之装置,其中该压板总成尚含一低磨擦、高硬度介电质涂层,其在该氧化铝之上并限定该夹持表面。8.如申请专利范围第6项之装置,其中该压板总成尚包含一金钢石相似单晶块碳涂层,其在该氧化铝之上并限定该夹持表面。9.如申请专利范围第8项之装置,其中该碳涂层之厚度为约0.5微米至5.0微米之范围。10.如申请专利范围第8项之装置,其中该介电质层包括一邻近夹持表面之一侧,其中该碳涂层覆盖该介电质层之侧边。11.如申请专利范围第8项之装置,其中该等电极包含铌。12.一种用以静电夹持工作件之装置,包含:一压板总成,限定一电绝缘夹持表面以接收一工作件,该压板总成包含电极在夹持表面之下并与其成电隔离,一相当厚之介电质层在该电极与夹持表面之间,及一相当薄、低磨擦、高硬度介电质涂层在该介电质层之上并构成夹持表面;及一夹持控制电路,以将夹持电压加在该等电极上,以静电夹持在夹持表面上一固定位置之工作件。13.如申请专利范围第12项之装置,其中该介电质层含一材料,其选自由氧化铝、碳化矽及氮化铝组成之一组材料。14.如申请专利范围第12项之装置,其中该介电质层含氧化铝。15.如申请专利范围第12项之装置,其中该介电质层有千分之几寸之厚度。16.如申请专利范围第12项之装置,其中该介电质涂层系选自含非晶碳、碳化矽及氮化铝之一组材料。17.如申请专利范围第12项之装置,其中之介电质涂层包含如金钢石之非晶碳涂层。18.如申请专利范围第12项之装置,其中该介电质涂层之厚度约为0.5微米至5.0微米之范围。19.如申请专利范围第12项之装置,其中该介电质层包括一邻近该夹持表面之一侧,及该介电质涂层将该侧盖住。20.如申请专利范围第12项之装置,其中该等电极含铌。21.如申请专利范围第12项之装置,其中该介电质层包含氧化铝,其厚度为数千分之一寸,该介电质涂层包含一如金钢石之非晶碳涂层,其厚度约为0.5微米至5.0微米之范围,且该电极包含铌。22.如申请专利范围第12项之装置,其中该介电质层有一周围,其成斜角以限定第一钝边缘而形成夹持表面之边界,及第二边缘与工作件分开。23.如申请专利范围第22项之装置,该斜角周围限定一倾斜表面,其与位于夹持表面上之工作件成约10度之角。24.如申请专利范围第23项之装置,其中该倾斜表面位于该电极之外部。25.一种用以静电夹持半导体晶圆之装置,包含:一压板,含多个装在压板基座上之扇形总成,该等扇形总成限定一实质上圆形、电隔离之夹持表面以接收一半导体晶圆,各扇形总成包含一导电电极在夹持表面之下并与其成电隔离,一上介电质层位于电极与夹持表面之间,及一下介电质层位于该电极与压板基座之间,该上介电质层有一周围,其为斜角以限定一第一钝边缘而形成夹持表面之边界,及一第二边缘与半导体晶圆分开;及一夹持控制电路,施加夹持电压至电极以静电夹持在夹持表面上固定位置之半导体晶圆。26.如申请专利范围第25项之装置,其中该上介电层之斜角周围限定一倾斜表面,其与夹持表面上之半导体晶圆成一小于10度之角。27.如申请专利范围第25项之装置,其中之第二边缘与在夹持表面上之半导体晶圆分开至少0.004寸。28.如申请专利范围第25项之装置,其中该上介电层之倾斜周围限定一倾斜表面位于电极之外部。29.如申请专利范围第25项之装置,其中该上介电质层包含氧化铝。30.如申请专利范围第29项之装置,其中每一扇形总成尚包含一如金钢石非晶碳涂层在上介电质层之上,并限定该夹持表面。31.如申请专利范围第30项之装置,其中该碳涂层之厚度为约0.5微米至5.0微米之范围。32.如申请专利范围第30项之装置,其中每一扇形总成包括一邻近夹持表面之一侧,其中该碳涂层盖住该扇形总成之侧边。33.如申请专利范围第30项之装置,其中该等电极包含铌。34.如申请专利范围第30项之装置,其中该碳涂层之厚度约为1.5微米。35.如申请专利范围第26项之装置,其中该倾斜表面形成一与夹持表面上之半导体晶圆成约5度之角。36.如申请专利范围第26项之装置,其中之钝边缘系混合并磨光以形成在倾斜表面与夹持表面间之一光滑渡越。37.如申请专利范围第25项之装置,其中该等扇形总成各者系以低硬度黏剂固定在压板基座上。38.如申请专利范围第25项之装置,其中该压板基座之构型可避免凹隙可能聚集微粒子。39.一种用以静电夹持半导体晶圆之装置,包含:一压板,包含许多装在压板基座上之扇形总成,该扇形总成限定实质上一圆形、电绝缘之夹持表面以接受半导体晶圆,每一扇形总成含一导电极在该夹持表面之下并与其成电隔离,一相当厚之上介电质层位于该电极与夹持表面之间,一相当薄之低磨擦、高硬度介电质涂层在该上介电质层之上并构成该夹持表面,及一下介电质层位于该电极与该压板基座之间;及一夹持控制电路,用以施加夹持电压至该等电极,以静电夹持在夹持表面上一固定位置之半导体晶圆。40.如申请专利范围第39项之装置,其中该介电质涂层包含一如金钢石之非金碳涂层。图式简单说明:第一图为适于并入本发明之静电晶圆夹持器一例之平面图;第二图为取自第一图之线2-2之晶圆夹持器之剖面图;第三图为静电晶圆夹持器之方块图,说明夹持控制电路之一例;及第四图为实施本发明静电晶圆夹持器之一例之部份剖面图。 |
