半导体发光元件

摘要

本发明有关于半导体发光元件，在I n G a A l P系半导体元件中，提供一种可以降低动作电压，且实现了比以往更能高输出化之半导体发光元件为目的。其解决手段为:由于设置了渗杂了规定量之碳之接触层由而可以降低与ITo电极之接触电阻，碳乃不会像锌一般的扩散而有劣化元件特性之虞。又藉由介置备有接触层与覆盖层之中间的带隙之中间带隙层，由而缓和价电子带(Valence band)之带之不连续可促进正孔之流入降低元件电阻。

主权项

1.一种半导体发光元件,具备有:由InGaAlP系半导体所成之发光层,及掺杂了碳而成之p型接触层,及接触于上述p型接触层而设之透明电极层为其特征者。2.一种半导体发光元件,具备有:由InGaAlP系半导体所成之n型被覆层,及设于上述n型被覆层之上面之由InGaAlP系半导体所成之发光层,及设于上述发光层之上面,由p型之InGaAlP系半导体所成之p型被覆层,及设于上述p型被覆层之上面,由上述p型被覆层之带隙小之半导体所构成,且被掺杂了碳之p型接触层,以及接触于上述p型接触层而设之透明电极层为其特征者。3.一种半导体发光元件,具备有:n型GaAs基板,及设于上述基板之上面,由n型InAlP所成之n型被覆层,及设于上述n型被覆层之上面,由InGaAlP所成之发光层,及设于上述发光层之上面由p型InAlP所成之p型被覆层,及设于上述p型被覆层之上面,由较上述p型被覆层为带隙小之半导体所构成,且被掺杂了碳之p型接触层,以及接触于上述p型接触层而设之透明电极层,为其特征者。4.如申请专利范围第1项所述之半导体发光元件,其中上述p型接触层系由GaAs所成。5.如申请专利范围第4项所述之半导体发光元件,其中上述p型接触层系所掺杂之碳为11019cm-3以上。6.如申请专利范围第4项所述之半导体发光元件,其中于上述p型被覆层与上述接触层之间,设置有比上述p型被覆层之带隙小,且比上述接触层之带隙大之由p型之半导体所成之中间带隙层者。7.如申请专利范围第6项所述之半导体发光元件,其中上述中间带隙层系由GaAlAs所成者。8.如申请专利范围第7项所述之半导体发光元件,其中上述GaAlAs之铝组成比系0.5以上0.7以下。9.如申请专利范围第8项所述之半导体发光元件,其中上述中间带隙层系被掺杂有碳41017cm-3以上者。10.如申请专利范围第1项所述之半导体发光元件,其中上述透明电极系由氧化铟锡所成者。图式简单说明:第一图表示本发明之第1之实施形态之半导体发光元件之构造之概略断面图。第二图表示本发明之半导体发光元件10A之电流电压特性之特性图。第三图表示本发明之发光元件10A之带构造之概略图。第四图(a)系试作之评监用元件之构造之概略构成图。第四图(b)系评监用元件之电流电压特性之曲线图。第五图表示发光元件之发光强度分布之说明图。同图(a)系发光元件之概略平面图、同图(b)系沿其X-X线之发光强度分布曲线图。第六图表示发光元件之光输出特性之曲线图。同图之横轴系表示电流、纵轴系表示光输出。第七图表示本发明之发光元件10A及以往例之发光元件之寿命特性之特性图。第八图系表示本发明之第2实施形态之半导体发光元件之构造之概略断面图。第九图表示本发明之第3实施形态之半导体发光元件之构造之概略断面图。第十图表示第1以往例之InGaAlP系之半导体发光元件之概略断面图。第十一图表示第2例之InGaAlP系之半导体发光元件之概略断面图。第十二图表示第3之例之InGaAlP系之半导体发光元件之概略断面图。