| 发明名称 | 具有结构氧掺杂的硅及其生产方法和用途 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有高的氧含量同时具有高的晶格位错密度的硅及其生产方法。这种硅可以用在光电转换中。基于按照本发明的这种材料的太阳能电池表现出高水平的效率,尽管其高的氧含量。 | ||
| 申请公布号 | CN1278565A | 申请公布日期 | 2001.01.03 |
| 申请号 | CN00118627.2 | 申请日期 | 2000.06.16 |
| 申请人 | 拜尔公司 | 发明人 | C·海斯勒;H·U·赫夫斯;W·科克;S·图尔姆;O·布雷滕斯坦 |
| 分类号 | C30B29/06;H01L31/0256 | 主分类号 | C30B29/06 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢新华;王其灏 |
| 主权项 | 1.一种硅，其特征在于，它的总氧含量为8×1017原子／cm3到1×1019原子／cm3，位错密度为1×105cm－2到5×107cm－2。 | ||
| 地址 | 联邦德国莱沃库森 | ||