| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 使用包含盐酸和过氧化氢溶液并且过氧化氢相对于氯化氢的克分子比为1/100以下的溶液作为腐蚀剂,相对于钨选择性地腐蚀氮化钛。 | ||
| 申请公布号 | CN1281249A | 申请公布日期 | 2001.01.24 |
| 申请号 | CN00122655.X | 申请日期 | 2000.06.30 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 鱼住宜弘;大口寿史;灘原壮一;小川义宏;冨田宽 |
| 分类号 | H01L21/3213;H01L21/28;H01L21/768;C23F1/16 | 主分类号 | H01L21/3213 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1．一种半导体器件，包括：具有布线槽的层间绝缘膜；形成在上述布线槽的侧壁上但未填充布线槽的第一绝缘膜；第一钨膜，形成至上述布线槽的中途深度，与上述布线槽中央相比，侧壁侧一方较薄；氮化钛膜，形成在该第一钨膜与上述布线槽的侧壁之间；第二钨膜，形成在该氮化钛膜与上述第一钨膜之间，比上述第一钨膜薄；第二绝缘膜，形成在上述第一钨膜上，充填上述布线槽。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||