发明名称 高效率场发射显示器
摘要 本发明系描述一个高效率的场发射显示器及其制造方法,此 FED除了可降低驱动电路的需求,且其可工作在较低的阳极电压的范围内,同时亦能有效率地利用萤光体。一个具有底板和面板的场发射显示器,至少包含一个玻璃板,作为面板的底座之用。而在玻璃板之上有一层具有特殊图形且具有开口的黑色矩阵材料层。此黑色矩阵层之开口内和开口的邻近处,则形成一些萤光元件。每一个萤光元件上层的部分表面则重叠了一层金属薄膜。金属薄膜的形状可能是网状或是其他形状,它也为本项发明的显示器提供了一个高效率的操作。而由基板所形成的底板,则被安置在面板的对面且与之平行,基板之上有一层导电层。数个在底板上形成的电子发射尖端延伸经过导电层上的开口,且在萤光元件的对面。最后,利用一个电源以便在导电层和金属薄膜之间建立不同电压。
申请公布号 TW420820 申请公布日期 2001.02.01
申请号 TW085108999 申请日期 1996.07.22
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 蔡君徽
分类号 H01J37/073 主分类号 H01J37/073
代理机构 代理人
主权项 1.一个具有底板和面板的场发射显示器,应至少包含:一个玻璃板,作为前述面板的底座;一个网状层,具有开口,材质为黑色矩阵,且形成于前述玻璃板;数个萤光元件,形成于前述黑色矩阵层上之开口内或开口之周围;金属薄膜,形成于每一个前述萤光元件最上层之部份表面;前述底板,由基板所形成,且被安装在前述面板的对面并且与之平行;一层导电层,在前述基板上;数个电子发射尖端,形成于前述背板之上,延伸经过前述具反射、导电层的开口,并在前述萤光元件的对面形成;和一个电源,系用来在前述导电层和前述金属薄膜之间,建立不同电压。2.如申请专利范围第1项所述的显示器,其中前述金属薄膜为网状。3.如申请专利范围第1项所述的显示器,其中前述金属薄膜,为带状4.如申请专利范围第1项所述的显示器,其中前述金属薄膜,其材料为铝、金、或银。5.如申请专利范围第1项所述的显示器,其中前述金属薄膜,其厚度约在500到5000埃之间。6.如申请专利范围第1项所述的显示器,其中前述萤光元件,至少包含数列红、绿、蓝光发光的材料。7.如申请专利范围第1项所述的显示器,其中前述黑色矩阵材料为碳粉,其厚度约在5-50微米之间。8.一个制造具有玻璃底座之面板的方法,系包含下列步骤:在前述玻璃底座上形成一层光阻层;在前述光阻层之上形成开口;在前述开口内形成黑色矩阵元件;移除前述光阻层,因此在前述黑色矩阵元件上形成第一、第二和第三组开口;在前述第一组开口上形成第一组萤光带;在前述第二组开口上形成第二组萤光带;在前述第三组开口上形成第三组萤光带;在前述第一、二、三个萤光带和前述黑色矩阵元件上,沈积一层平坦层;在前述平坦层之上沈积一层金属层;图形化前述金属层,以便在每个第一、二、三个萤光带部分之上形成金属带;和除去前述平坦层;9.如专利申请范围第8项所述的方法,其中前述金属层之材料为铝、金或银。10.如专利申请范围第8项所述的方法,其中前述金属薄膜,是利用热蒸镀来沈积的,其厚度约在500-5000埃。11.如专利申请范围第8项所述的方法,其中前述金属带被图形化以形成实体带。12.如专利申请范围第8项所述的方法,其中前述金属带被图形化以形成网状带。13.如专利申请范围第8项所述的方法,其中前述第一个萤光带,是由可发出红光的材料所形成的,前述第二个萤光带,是由可发出绿光的材料所形成的,前述第三个萤光带,是由可发出蓝光的材料所形成的。14.如专利申请范围第8项所述的方法,其中除去前述平坦层的方法热燃烧。15.一种制造具有玻璃底座之面板的场发射显示器的方法,至少包含的步骤如下:在前述玻璃底座上形成一层光阻层;在前述光阻层之上形成开口;在前述开口内形成黑色矩阵元件;移除前述光阻层,因此在前述黑色矩阵元件上形成第一、第二和第三组开口;在前述第一组开口上形成第一组萤光带;在前述第二组开口上形成第二组萤光带;在前述第三组开口上形成第三组萤光带;在前述第一、二、三个萤光带和前述黑色矩阵元件上,沈积一层平坦层;在前述平坦层之上沈积一层金属层;图形化前述金属层,以便在每个第一、二、三个萤光带部分之上形成金属带;和除去前述平坦层;16.如专利申请范围第15项所述的方法,其中前述金属薄膜,是利用热蒸镀来沈积的,其厚度约在500-5000埃。17.如专利申请范围第15项所述的方法,其中前述金属带被图形化以形成实体带。18.如专利申请范围第15项所述的方法,其中前述金属带被图形化以形成网状带。19.如专利申请范围第15项所述的方法,其中前述第一个萤光带,是由可发出红光的材料所形成的,前述第二个萤光带,是由可发出绿光的材料所形成的,前述第三个萤光带,是由可发出蓝光的材料所形成的。图式简单说明:第一图为具有切换阳极的习知场发射显示器之横切面示意图。第二图为习知CRT结构的横切面示意图。第三图为本发明FED面板新结构的横切面示意图。第四图为是本发中FED的阳极设计之上视图,而第三图为第四图沿着线3-3之横切面示意图。第五图为本发明之FED动作示意图。第六图至第十图为本发明形成场发射显示器的方法。
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