| 主权项 |
1.一种双镶嵌结构的制作方法,适用于形成有金属导线的半导体基底,包括下列步骤:(a)在上述半导体基底上依序形成一第1金属间介电层、蚀刻停止层;(b)选择性去除上述蚀刻停止层,用以在上述金属导线相对位置上方形成一第1开口以及在后续欲形成第1沟槽以及第2沟槽之间形成一第2开口;(c)在残留的蚀刻停止层上方形成一第2金属间介电层;(d)选择性去除上述第2金属间介电层,以在上述第1开口上方形成第1沟槽以及与上述第1沟槽并列的第2沟槽;以及(e)经由上述第1开口以及上述第1沟槽蚀刻上述第1金属间介电层以形成一露出上述金属导线的接触孔,而构成一双镶嵌结构。2.如申请专利范围第1项所述之双镶嵌结构的制作方法,其中上述蚀刻停止层的介电常数放大于第1金属间介电层以及第2金属间介电层的介电常数。3.如申请专利范围第1项所述之双镶嵌结构的制作方法,其中上述第1金属间介电层以及上述第2金属间介电层系氧化层。4.如申请专利范围第3项所述之双镶嵌结构的制作方法,其中上述蚀刻停止层系氮化矽层。5.如申请专利范围第3项所述之双镶嵌结构的制作方法,其中上述蚀刻停止层系氮氧矽化合物层。6.如申请专利范围第1项所述之双镶嵌结构的制作方法,其中上述蚀刻停止层的厚度介于500-1500埃之间。7.如申请专利范围第1项所述之双镶嵌结构的制作方法,其中形成双镶嵌结构之后,更包括下列步骤:在上述双镶嵌结构以及上述第2沟槽之内填入金属材料以形成第1内连线以及第2内连线。8.如申请专利范围第1项所述之双镶嵌结构的制作方法,其中步骤(a)形成第1金属间介电层之前更包括下列步骤:在上述半导体基底表面形成一第1蚀刻停止层。9.一种双镶嵌结构的制作方法,适用于形成有金属导线的半导体基底,包括下列步骤:(a)在上述半导体基底上依序形成一第1蚀刻停止层、一第1氧化层、第2蚀刻停止层;(b)选择性去除上述第2蚀刻停止层,用以在上述金属导线相对位置上方形成一第1开口以及在后续欲形成第1沟槽以及第2沟槽之间形成一第2开口;(c)在残留的第2蚀刻停止层上方形成一第2氧化层;(d)选择性去除上述第2氧化层,以在上述第1开口上方形成第1沟槽以及与上述第1沟槽并列的第2沟槽;以及(e)经由上述第1开口以及上述第1沟槽蚀刻上述第1氧化层以及上述第1蚀刻停止层以形成一露出上述金属导线的接触孔,而构成一双镶嵌结构。10.如申请专利范围第9项所述之双镶嵌结构的制作方法,其中上述第2蚀刻停止层的介电常数于大于第1氧化层以及第2氧化层的介电常数。11.如申请专利范围第10项所述之双镶嵌结构的制作方法,其中上述第2蚀刻停止层系氮化矽层。12.如申请专利范围第10项所述之双镶嵌结构的制作方法,其中上述第2蚀刻停止层系氮氧矽化合物层。13.如申请专利范围第9项所述之双镶嵌结构的制作方法,其中上述第2蚀刻停止层的厚度介于500-1500埃之间。14.如申请专利范围第9项所述之双镶嵌结构的制作方法,其中形成双镶嵌结构之后,更包括下列步骤:在上述双镶嵌结构以及上述第2沟槽之内填入金属材料以形成第1内连线以及第2内连线。15.一种双镶嵌结构的制作方法,适用于形成有金属导线的半导体基底,包括下列步骤:(a)在上述半导体基底上依序形成一第1氧化层、一蚀刻停止层;(b)选择性去除上述蚀刻停止层,用以在上述金属导线相对位置上方形成一第1开口以及在后续欲形成第1沟槽以及第2沟槽之间形成一第2开口;(c)在残留的蚀刻停止层上方形成一第2氧化层;(d)选择性去除上述第2氧化层,以在上述第1开口上方形成第1沟槽以及与上述第1沟槽并列的第2沟槽;(e)经由上述第1开口以及上述第1沟槽蚀刻上述第1氧化层以形成一露出上述金属导线的接触孔,而构成一双镶嵌结构;以及(f)在上述双镶嵌结构以及上述第2沟槽内填入金属材料以构成第1内连线以及第2内连线。图式简单说明:第一图A-第一图F为,利用习知技术形成双镶嵌结构的制造流程剖面示意图。第二图A-第二图F为,根据本发明实施例形成双镶嵌结构的制造流程剖面示意图。 |
