| 主权项 |
1.一种烯烃聚合用之触媒成份,包含一种具至少一个M-键的过渡金属M化合物和一种卤化镁,其中过渡金属化合物系选自具有下列结构的化合物:Cp1MR1aR2bR3c (I)CpI1CpIIMR1aR2b (II)(CpI-Ac-CpII)MR1aR2b (III)其中M为钛、钒、锆或铪;CpI和CpII可相同或相异,为环戊二烯基团,包括经取代的基团;在该环戊二烯基团上的两或多个取代基可以形成一个或多个拥有4到6个碳原子的环,R1.R2和R3可相同或相异,为氢原子、卤素原子、具有1-20个碳原子的烷基或烷氧基、具有6-20个碳原子的芳基、烷芳基或芳烷基、具有1-20个碳原子的醯氧基、烯丙基、含有一个矽原子的取代基;A为一种链烯基桥或具有下述结构的基团:其中M1为矽、锗或锡;R1和R2,可相同或相异,为具有1-4个碳原子的烷基或具有6-10个碳原子的芳基;a、b、c分别为从0到4的整数;e为从0到6的整数,并且R1.R2和R3的基团中有两个或两个以上能形成一个环;其特征在于表面积(BET)大于50平方公尺/克,孔隙度(BET)大于0.15立方公分/克,并且孔隙度(Hg)大于0.3立方公分/克,前提是当表面积小于150平方公尺/克时,孔隙度(Hg)则小于1.5立方分分/克。2.如申请专利范围第1项之成份,其具有表面积大于150平方公尺/克,且孔隙度(BET)大于0.2立分公分/克。3.如申请专利范围第1项之成份,其具有表面积小于150平方公尺/克,且孔隙度(Hg)介于0.5和1.2立方公分/克之间。4.如申请专利范围第1至3项中任一项之成份,其中有超过40%的孔隙度(BET)系由半径大于300埃的孔洞所造成。5.如申请专利范围第1至3项中任一项之成份,其中有超过50%的孔隙度(BET)系由半径介于600埃到1000埃之间的孔洞所造成。6.如申请专利范围第1至3项中任一项之成份,其为大小小于150微米的球形粒子。7.如申请专利范围第1至3项中任一项之成份,其系制自将一种含有至少一个M-键的过渡金属选自钛、钒、锆和铪之过渡金属M化合物支撑于一种卤化镁之上,或者是支撑于一种含有卤化镁的担体之上,其具有表面积介于200到800平方公尺/克之间,并且孔隙度(BET)大于0.3立方公分/克,并且孔隙度(Hg)大于0.3立方公分/克。8.如申请专利范围第7项之成份,其中卤化镁为大小小于150微米的球形粒子。9.如申请专利范围第7项之成份,其中卤化镁系支撑于一种惰性担体之上,此种惰性担体系选自具有表面积介于300到600平方公尺/克之间,并且孔隙度(BET)大于0.5立方公分/克的二氧化矽、氧化铝、二氧化矽-氧化铝;以及表面积介于100到500平方公尺/克之间,并且孔隙度(BET)大于0.5平方公分/克经部份交联化紧苯乙烯。10.如申请专利范围第8项之成份,其中卤化镁系将MgX2.醇类加成物予以球粒化,然后与一种烷基-铝化合物反应以除去醇类而获得者。11.如申请专利范围第10项之成份,其中卤化镁为氯化镁,其系将MgCl2.3ROH加成物,其中R为具有1-8个碳原子的烷基者,施以部分脱醇化,然后与烷基-铝化合物反应而得。12.如申请专利范围第1项之成份,其中过渡金属化合物系选自具下列结构的化何物:在上述的简写化学式中,其符号代表意义如下:Me=甲基,Cp=环戊二烯基,M=钛,锆或铪,Ind=基,Benz=基,H4Ind=4,5,6,7-四氢基,Bu=乙基。13.如申请专利范围第1项之成份,其中过渡金属化合物系选自具有下列结构的化合物:在上述的简写化学式中,其符号代表意义如下:Cp=环戊二烯基,M=钛,锆或铪,Me=甲基,Ph=苯基,Et=乙基,Flu=芴基,Bu=丁基,Ind=基,H4Ind=4,5,6,7-四氢基。14.如申请专利范围第1项之成份,其中过渡金属化合物系选自具有下列结构的化合物:在上述的简写化学式中,其符号代表意义如下:Ind=基,M=钛,锆或铪,Me=甲基,H4Ind=4,5,6,7-四氢基,Cp=环戊二烯基,Flu=芴基,Et=乙基,iPrCp=异丙基,Ph=苯基,H4Flu=1,2,3,4-四氢芴基。15.如申请专利范围第1至3项中任一项之成份,其中过渡金属化合物的存在量为0.1至5重量%其系以金属来表示者。16.如申请专利范围第1至3项中任一项之成份,其中至少一种不具活性氢之电子-给予体化合物,其份量为卤化镁之30莫耳%。17.如申请专利范围第16项之成份,其中所含电子-给予体化合物之份量为卤化镁之5至15莫耳%。18.如申请专利范围第16项之成份,其中该电子-给予体化合物系选自醚,酯及酮类。19.如申请专利范围第18项之成份,其中该电子-给予体化合物为异戊醚。20.一种烯烃聚合用之触媒,包含如申请专利范围第1至3项中任一项之成份与一种烷基-铝化合物的反应产物,而烷基-铝化合物系选自三烷基-铝化合物,其中烷基具有1到12个碳原子;和含有-(R4)A10-重覆单元的线性或环状铝氧烷化合物,其中R4为含有1到6个碳原子的烷基,或含有6-10个碳原子的环烷基或芳基并且该种铝氧烷化合物含有2到50个重覆单元。21.如申请专利范围第20项之触媒,其中烷基-铝化合物为三烷基-铝和一种铝氧烷之混合物。22.如申请专利范围第20或21项之触媒,其中铝氧烷为聚甲基-铝氧烷。23.如申请专利范围第20或21项之触媒,其中每莫耳的三烷基-铝化合物系与0.5-0.01莫耳的水反应,并且过渡金属M化合物系选自:在上述的简写化学式中,其符号代表意义如下:Ind=基,M=钛,锆或铪,Me=甲基,H4Ind=4,5,6,7-四氢基,Cp=环戊二烯基,Flu=芴基,Et=乙基,iPr=异丙基,Ph=苯基,H4Fli=1,2,3,4-四氢芴基。24.一种用于烯烃CH2=CHR聚合之方法,其中R为氢或具有1-10个碳原子的烷基、环烷基或芳基,其中系使用如申请专利范围第20或21项之触媒。25.一种用于烯烃CH2=CHR聚合之方法,其中R为具有1-10个碳原子的烷基、环烷基或芳基,或是芳基,其中系使用的触媒系获自如申请专利范围第14项之成份。26.一种用于聚合乙烯和聚合乙烯与CH2=CHR烯烃之混合物的方法,其中R为具有1-10个碳原子的烷基、环烷基或芳基,其中所使用的触媒系获自如申请专利范围第14项之成份。 |
