| 主权项 |
1.一种在一晶片上可同时形成之高低压元件的方法,该方法至少包含:提供一底材给多数个元件;在低压金属氧化物半导体场效电晶体形成第一井;在高压金属氧化物半导体场效电晶体形成第一井与第二井;在双载子接面电晶体形成第一井,第二井与第三井;在各元件之间形成场隔离层,同时在高压金属氧化物半导体场效电晶体中该第一井与该第二井之间形成场隔离层,同时在双载子接面电晶体中该第一井和该第二井之间与该第二井和该第三井之间形成场隔离层;在各金属氧化物半导体场效电晶体上形成闸极,其中上述高压金属氧化物半导体场效电晶体上的闸极跨在该第一井与该第二井之间形成场隔离层;及在各该金属氧化物半导体场效电晶体上形成源极/汲极,同时在该双载子接面电晶体中形成射极/基极/汲极。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之双载子接面电晶体中第一井之极性与第二井之极性相反,第一井之极性与第三井之极性相同。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之高压金属氧化物半导体场效电晶体上该第一井,该第二井与该源极/汲极之浓度由大至小的顺序为该源极/汲极,该第二井与该第一井。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之双载子接面电晶体之该第一井,该第二井,该第三井与该射极/基极/汲极之浓度由大至小的顺序为该射极/基极/汲极,该第三井,该第二井与该第一井。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之场隔离层为场氧化隔离层。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之底材为P型,且低压金属氧化物半导体场效电晶体之第一井为P型,源极/汲极为N型时为N型低压金属氧化物半导体场效电晶体;低压金属氧化物半导体场效电晶体之第一井为N型,源极/汲极为P型时为P型低压金属氧化物半导体场效电晶体;高压金属氧化物半导体场效电晶体之第一井为N型,第二井为N型,源极/汲极为N型时为N型高压金属氧化物半导体场效电晶体;高压金属氧化物半导体场效电晶体之第一井为N型,第二井为P型,源极/汲极为P型时为P型高压金属氧化物半导体场效电晶体。7.一种在一晶片上可同时形成之高低压元件的方法,该方法至少包含:提供一底材给多数个元件;在第一,第二高压元件及双载子接面电晶体形成第一导电区;在第一低压元件,第二高压元件及双载子接面电晶体形成第二导电区,使得第二高压元件及双载子接面电晶体的第二导电区被该第一导电区包围;在第二低压元件,该第一高压元件及该双载子接面电晶体形成第三导电区,使得该第一高压元件的第三导电区被该第一导电区包围及该双载子接面电晶体的第三导电区被该第二导电区包围;在各元件之间形成场隔离层,并且同时在该高压元件与该双载子接面电晶体中相邻的导电区形成场隔离层;在各金属氧化物半导体场效电晶体上形成闸极,其中高压金属氧化物半导体场效电晶体上的闸极跨相邻导电区形成的场隔离层;及在各金属氧化物半导体场效电晶体上形成源极/汲极,同时在双载子接面电晶体中形成射极/基极/汲极。8.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之场隔离层可经由形成场氧化层完成。9.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之第一导电区之极性与该第二导电区之极性相反,该第一导电区之极性与该第三导电区之极性相同。10.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之第一导电区,该第二导电区,该第三导电区与该源极/汲极/射极/基极/汲极之浓度由小到大的顺序为该第一导电区,该第二导电区,该第三导电区与该源极/汲极/射极/基极/汲极。图式简单说明:第一图为一传统的金属氧化物半导体场效电晶体。第二图为一轻微掺杂极极设计的金属氧化物半导体场效电晶体。第三图为一传统的高压元件设计。第四图至第十二图为本发明的步骤。 |
