| 主权项 |
1.一种用于离子植入器之离子源(50),包含:(i)一昇华器(52),具有空腔(66)以容纳有待昇华之源材料(68)及将源材料昇华;(ii)一离子化室(58),供将昇华之源材料离子化,该离子化室位于远离该昇华器之处;(iii)馈入管(62),以连接该昇华器(52)至该离子化室(58);及(iv)一加热媒介(70),供将该昇华器(52)及该馈入管(62)之至少一部份加热。2.如申请专利范围第1项之离子源(50),尚含一控制机构供控制该加热媒介(70)之温度。3.如申请专利范围第2项之离子源(50),其中该控制机构含一加热元件(80)以将加热媒介(70)加热、一帮浦(55)将该加热媒介循环、至少一个热耦(92)以自加热媒介(70)提供温度回授、及一控制器(56)对该温度回授响应以输出一第一控制信号(94)至该加热元件。4.如申请专利范围第2项之离子源(50),其中该加热媒介(70)为水。5.如申请专利范围第2项之离子源(50),其中该加热媒介(70)为矿物油。6.如申请专利范围第2项之离子源(50),其中该源材料为分子固体,具有蒸气压力在10-2托及103托之间,及昇华温度在20℃及150℃之间。7.如申请专利范围第2项之离子源(50),其中该源材料为癸硼烷。8.如申请专利范围第2项之离子源(50),其中该馈入管(62)由石英组成。9.如申请专利范围第2项之离子源(50),其中该馈入管(62)由不锈钢组成。10.如申请专利范围第2项之离子源(50),其中该离子化室(58)包括一入口(72)以接收自一压缩气体源之气体。11.如申请专利范围第2项之离子源(50),其中该馈入管(62)由护套(90)包围,该加热媒介(70)即经由该护套循环。12.如申请专利范围第11项之离子源(50),其中该护套(90)包含一内护套(90A)由一外护套(90B)所包围。13.一种离子源(50)之蒸发器,包含:(i)一坩埚(52),具有空腔(66)以容纳源材料(68)以备蒸发及供将源材料蒸发;(ii)一馈入管(62),以连接该蒸发器(52)至位于遥远处之离子化室,蒸发之源材料在该室被离子化;及(iii)一加热媒介(70),供将该蒸发器(52)及该馈入管(62)之至少一部份加热。14.如申请专利范围第13项之蒸发器(50),尚含一控制机构供控制该加热媒介(70)之温度。15.如申请专利范围第14项之蒸发器(50),其中该控制机构含一加热元件(80)以将加热媒介(70)加热、一帮浦(55)供将加热媒介循环、至少一个热耦(92)以自加热媒介(70)提供温度回授、及一控制器(56)对该温度回授响应以输出一第一输出信号(94)至该加热元件。16.如申请专利范围第14项之蒸发器(50),其中该加热媒介(70)为水。17.如申请专利范围第14项之蒸发器(50),其中该加热媒介(70)为矿物油。18.如申请专利范围第14项之蒸发器(50),其中该源材料为分子固体,具有蒸气压力在10-2托及103托之间,及昇华温度在20℃及150℃之间。19.如申请专利范围第14项之蒸发器(50),其中该源材料为癸硼烷。20.如申请专利范围第14项之蒸发器(50),其中该馈入管(62)由不锈钢组成。21.如申请专利范围第14项之蒸发器(50),其中该馈入管(62)由石英组成。22.如申请专利范围第14项之蒸发器(50),其中馈入管(62)由护套(90)所包围,加热媒介(70)经由该护套循环。23.如申请专利范围第22项之蒸发器(50),其中该护套(90)包含一内护套(90A)包含一内护套(90A)由一外护套(90B)所包围。图式简单说明:第一图为离了植入器使用之传统离子源透视图,部份为截面图;第二图为根据本发明原理所构制之离子植入器使用之离子源之第一实施例之略图,部份为截面图;第三图为取自第二图之线3-3之离子源之另一实施例之连接管之截面图;第四图A为第二图中之连接管之第一实施例之长度上存在之压差代表图形;第四图B为第三图中之连接管之第二实施例之长度上存在之压差代表图形。 |
