| 主权项 |
1.一种处理基板之方法,其包含:以一凝固膜覆盖该基板之至少一部份表面;以及将该经覆盖之基板传送至一加工装置,以进行后续加工步骤。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该后续加工步骤系一种湿式加工步骤。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中该后续加工步骤系一贮存步骤。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中该凝固膜系由一冰膜所构成。5.根据申请专利范围第4项之方法,其中该冰膜系以去离子水或超纯水所制成。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中该基板系一种半导体晶圆。7.根据申请专利范围第1项之方法,其中该基板系被覆盖而不会使其表面暴露至环境大气中。8.根据申请专利范围第1项之方法,其中该基板系藉由形成在该表面上之凝固液体膜所覆盖。9.根据申请专利范围第8项之方法,其中该液体膜系形成在该表面上之堰堤之内部空间形成。10.根据申请专利范围第1项之方法,其中该基板系由包围该表面之凝固水蒸汽所覆盖。11.根据申请专利范围第1项之方法,其中在该凝固期间,环境大气压力系在减压状态。12.一种用以处理一基板之装置,包含:一覆盖装置,用以将该基板之表面的至少一部份以一凝固膜来加以覆盖;以及一传送装置,用以将该基板传送至后续加工步骤。13.根据申请专利范围第12项之装置,其中该后续加工步骤系一种湿式加工步骤。14.根据申请专利范围第12项之装置,其中该后续加工步骤系一贮存步骤。15.根据申请专利范围第12项之装置,其中该凝固膜系由一冰膜所构成。16.根据申请专利范围第15项之装置,其中该冰膜系以去离子水或超纯水所制成。17.根据申请专利范围第12项之装置,其中该基板系一种半导体晶圆。18.根据申请专利范围第12项之装置,其中该基板系被覆盖而不会使其表面暴露至环境大气中。19.根据申请专利范围第12项之装置,其中该基板系藉由形成在该表面上之凝固液体膜所覆盖。20.根据申请专利范围第19项之装置,其中该液体膜系在形成在该表面上之堰堤内形成。21.根据申请专利范围第12项之装置,其中该基板系由包围该表面之凝固水蒸汽所覆盖。22.根据申请专利范围第12项之装置,其中在该凝固期间,环境大气压力系在减压状态。23.一种用以保护基板之方法,包含:将该基板之表面的至少一部份以一凝固膜加以覆盖。24.一种用以贮存基板之方法,其中该基板系以将该基板之表面的至少一部份以一凝固膜加以覆盖之状态下,而贮存在一贮存部位中。25.一种用以传送一基板之方法,其中该基板系以将该基板之表面的至少一部份以一凝固膜加以覆盖之状态下,来加以传送。26.一种保护基板之装置,包含:一覆盖装置,用以将该基板之表面的至少一部份以一凝固膜来加以覆盖。27.一种贮存基板之装置,包含:一覆盖装置,用以将该基板之表面的至少一部份以一凝固膜来加以覆盖;以及一贮存部,用以贮存该经覆盖之基板。28.一种用以传送一基板之装置,包含:一覆盖装置,用以将该基板之表面的至少一部份以一凝固膜来加以覆盖;以及一传送部,用以传送该经覆盖之基板。图式简单说明:第一图A及第一图B表示在一欲加以保护之表面上提供一冰覆层之步骤;第二图表示作用在水、基板及周围大气中之表面张力的静力平衡;第三图系一概要视图,表示用以在基板表面上构成冰覆层之装置;第四图系一图表,表示钛之附着系数与气体之吸附量;第五图系一区块图,表示应用表面保护装置于用于半导体晶圆之加工设备上;以及第六图系一生产线之简化流程图,该生产线系提供保护性薄膜以及基板研磨。 |
