| 主权项 |
1.一种制造隔离沟槽的方法,包括的步骤有:(a)在半导体材料上成形第一层第一种介电材料,该半导体材料内有沟槽,该第一层与该沟槽是自对齐的关系;(b)以第二种介电材料填充该沟槽,并露出该第一层靠近该沟槽边缘的部分;(c)在该第二种介电材料层上沈积第二层该第一种介电材料,以使该第二层的第一种介电材料与该第一层的第一种介电材料的暴露部分接触;(d)去除该第二层之该第一种介电材料非覆盖于该沟槽的部分,并选择性地去除非覆盖于该沟槽部分的该第二种介电材料;以及(e)使用对该第二种介电材料具选择性的蚀刻方法去除该第一种介电材料;藉以使该第二种介电材料实质地留在沟槽内。2.根据申请专利范围第1项的方法,进一步包括在填充该沟槽之该步骤前,以该第二种介电材料衬里该沟槽的步骤。3.根据申请专利范围第2项的方法,其中该第二种介电材料是二氧化矽,且该衬里该沟槽的步骤包括氧化的步骤。4.根据申请专利范围第1项的方法,其中该第一种介电材料包括氮化矽,且其中的该蚀刻是对该第二种介电材料具有选择性的H3PO4。图式简单说明:第一图是所揭示之程序的流程图。第二图-第九图是所揭示之程序中各步骤的晶圆截面图。 |
