| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体电容器的制造方法,其包括下列步骤:在一具有一闸极及一源极/汲极区之基底上,形成一第一介电层;在该第一介电层中形成一第一开口,暴露出该源极/汲极区;在该第一开口中形成一着陆垫与该源极/汲极区电性连接;依序在该第一介电层上形成一第二介电层与一第一罩幕层;在该第二介电层与该第一罩幕层中形成一第二开口且暴露出该着陆垫;在该第二开口中形成一插塞与该着陆垫电性连接;在该第一罩幕层上形成一具有一第三开口的第三介电层,其中该第三开口暴露出该插塞;形成一共形的第一导电层;形成一共形的半球状矽晶粒层;在该第三开口内形成一光阻层;进行一蚀刻步骤,去除部分的该第一导电层及部分的该半球状矽晶粒层;去除该光阻层;以及依序形成一第四介电层与一第二导电层。2.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体电容器的制造方法,其中该第二介电层的形成方式包括电浆加强式化学气相沉积法。3.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体电容器的制造方法,其中该第三介电层的形成方式包括电浆加强式化学气相沉积法。4.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体电容器的制造方法,其中该第三介电层的厚度约为10000至14000。5.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体电容器的制造方法,其中该第一导电层的厚度约为500。6.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体电容器的制造方法,其中该第一导电层材质包括非晶矽。7.一种动态随机存取记忆体下电极的制造方法,其包括下列步骤:在一具有一闸极及一源极/汲极区之基底上,形成具有一着陆垫的一第一介电层,其中该着陆垫与该源极/汲极区电性连接;依序在该第一介电层上形成一第二介电层与一第一罩幕层;在该第二介电层与该第一罩幕层中形成一插塞与该着陆垫电性连接;在该第一罩幕层上形成一具有一开口的第三介电层,其中该开口暴露出该插塞;形成一共形的第一导电层;在该开口内形成一光阻层;以及去除部分的第一导电层。8.如申请专利范围第7项所述之动态随机存取记忆体下电极的制造方法,其中该第二介电层的形成方式包括电浆加强式化学气相沉积法。9.如申请专利范围第7项所述之动态随机存取记忆体下电极的制造方法,其中该第三介电层的形成方式包括电浆加强式化学气相沉积法。10.如申请专利范围第7项所述之动态随机存取记忆体下电极的制造方法,其中该第三介电层的厚度约为10000至14000。11.如申请专利范围第7项所述之动态随机存取记忆体下电极的制造方法,其中该第一导电层的厚度约为500。12.如申请专利范围第7项所述之动态随机存取记忆体下电极的制造方法,其中该第一导电层材质包括非晶矽。13.如申请专利范围第7项所述之动态随机存取记忆体下电极的制造方法,其中该第一导电层上更包括一半球状矽晶粒层。图式简单说明:第一图绘示习知动态随机存取记忆体电容器制程中形成下电极的步骤;以及第二图A至第二图E绘示依据本发明一较佳实施例之动态随机存取记忆体电容器的制造方法。 |
