| 主权项 |
1.一种介层窗开口的制造方法,适用在具有一金属层的一基底上,该制造方法包括:在该金属层上形成一阻障层;在该阻障层上形成一矽氧氮化物层;在该基底上形成一介电层,覆盖该金属层;以一光阻定义该介电层,且以该矽氧氮化物层为蚀刻终止层,在该介电层中形成一开口;去除该光阻;以及以该阻障层为蚀刻终止层,去除暴露出的该矽氧氮化物层。2.如申请专利范围第1项所述之介层窗开口的制造方法,其中该阻障层厚度包括钛层/氮化钛层。3.如申请专利范围第2项所述之介层窗开口的制造方法,其中该氮化钛层厚度约为200-500埃左右。4.如申请专利范围第1项所述之介层窗开口的制造方法,其中该金属层包括铝。5.如申请专利范围第1项所述之介层窗开口的制造方法,其中该矽氧氮化物与该阻障层之蚀刻选择比至少为20:1。6.如申请专利范围第1项所述之介层窗开口的制造方法,其中去除该光阻的步骤系临场以一氧电浆灰化进行。7.如申请专利范围第1项所述之介层窗开口的制造方法,其中去除该矽氧氮化物层系临场进行。8.如申请专利范围第1项所述之介层窗开口的制造方法,其中在去除暴露出的该矽氧氮化物层后更包括以去离子水清洗的步骤。9.如申请专利范围第1项所述之介层窗开口的制造方法,其中在该介电层形成该开口的步骤包括以一电浆蚀刻方式进行。10.如申请专利范围第9项所述之介层窗开口的制造方法,其中该电浆蚀刻之一蚀刻气体包括C4F8.Ar与CO之混合物。11.如申请专利范围第9项所述之介层窗开口的制造方法,其中去除暴露出的该矽氧氮化物层系以含CHxFy的蚀刻气体。12.一种介层窗开口的制造方法,适用在具有一金属层的一基底上,在该金属层上形成一钛/氮化钛层,该制造方法包括:在该钛/氮化钛层上形成一矽氧氮化物层;在该基底上形成一介电层,覆盖该金属层;以该矽氧氮化物层为蚀刻终止层,以一第一蚀刻剂蚀刻该介电层中而形成一介层窗开口;以一氧电浆去除该光阻;以及以该氮化钛层为蚀刻终止层,以一第二蚀刻剂去除暴露出的该矽氧氮化物层。13.如申请专利范围第12项所述之介层窗开口的制造方法,其中该第一蚀刻剂包括C4F8/Ar/CO之混合气体。14.如申请专利范围第12项所述之介层窗开口的制造方法,其中该第二蚀刻剂包括CHxFy/Ar/CO之混合气体。15.如申请专利范围第11项所述之介层窗开口的制造方法,其中CHxFy系选自CHF3.CH2F2与CH3F。16.如申请专利范围第13项所述之介层窗开口的制造方法,其中该介电层与该矽氧氮化物层之一蚀刻选择比约为15:1-20:1。17.如申请专利范围第12项所述之介层窗开口的制造方法,其中该矽氧氮化物层与该氮化钛层之一蚀刻选择比至少约为20:1。18.如申请专利范围第12项所述之介层窗开口的制造方法,其中该氮化钛层厚度约为200-500埃左右。19.如申请专利范围第12项所述之介层窗开口的制造方法,其中在去除暴露出的该矽氧氮化物层后更包括以去离子水清洗的步骤。图式简单说明:第一图系显示一种习知介层窗开口的剖面图;以及第二图A-第二图D系显示根据本发明较佳实施例介层窗开口之制造流程剖面图。 |
