| 主权项 |
1.一种电容,至少包含:一介电层,该介电层具有一接触通道;及一导体,该导体填满该接触通道并且在该介电层上形成一骨状结构。2.如申请专利范围第1项之电容,其中上述之介电层至少包含氧化层。3.如申请专利范围第1项之电容,其中上述之骨状结构至少包含两大终端部和一较细长的中间部。4.如申请专利范围第1项之电容,其中上述之骨状结构至少包含一较窄的中间部、一较宽的上半部、及一较宽的下半部。5.如申请专利范围第1项之电容,其中上述之骨状结构至少包含一平滑且内凹的侧壁。6.如申请专利范围第1项之电容,其中上述之导体至少包含多晶矽。7.如申请专利范围第1项之电容,其中上述之导体至少包含矽。8.如申请专利范围第1项之电容,其中上述之骨状结构的形成方法,乃以C2F6/Cl2/SF6/HBr/He蚀刻该导体,且调配其中Cl2之比例,以增加蚀刻剂横向蚀刻(侧蚀)的能力,将导体之侧壁蚀刻成内凹状,于是该导体即成一骨状结构。9.如申请专利范围第1项之电容,其中上述之骨状结构系以下列方法形成:先以C2F6蚀刻该导体,再以比例为1.1/0.8/1/1之SF6/Cl2/HBr/He蚀刻该导体,接着调整Cl2/HBr的比例到大于1.1并继黩蚀刻该导体。10.如申请专利范围第9项之电容,其中以C2F进行蚀刻的时间约为25秒。11.一种电容,至少包含:一介电层;及一实心的圆柱导体,,该圆柱导体位于该介电层上且具有一内凹的侧壁。12.如申请专利范围第11项之电容,其中上述之介电层包含氧化层。13.如申请专利范围第11项之电容,其中上述之实心的圆柱导体包含多晶矽。14.如申请专利范围第11项之电容,其中上述之实心的圆柱形导体包含矽。15.如申请专利范围第11项之电容,其中上述之内凹的侧壁为一平滑面。16.如申请专利范围第11项之电容,其中上述之内凹侧壁之形成方法,乃以C2F6/Cl2/SF6/HBr/He蚀刻该导体,且调配其中Cl2之比例,以增加蚀刻剂横向蚀刻(侧蚀)的能力,将该导体侧壁蚀刻成一凹面。17.如申请专利范围第11项之电容,其中上述之圆柱导体系以下列方法形成:先形成一导体柱在该介电质层上,再以C2F6蚀刻该导体,然后以比例为1.1/0.8/1/1之SF6/Cl2/HBr/He蚀刻该导体,最后调整Cl2/HBr的比例到大于1.1并继续蚀刻该导体。18.如申请专利范围第11项之电容,其中以C2F6进行蚀刻的时间约为25秒。图式简单说明:第一图的图式表示在动态随机存取记忆体中传统实心圆柱电容的剖面图。第二图的图式表示本发明实施例中首先提供的结构剖面图。第三图至第六图表示本发明所揭露之电容结构之制作流程之剖面图。第七图表示本发明之电容于显微镜下放大50000倍时的实际大小。 |
