| 主权项 |
1.一种抗金属铜扩散能力的介电层之形成方法,其包括:提供一基底;进行一悬涂步骤,以于该基底上形成具有低介电常数之一介电层;进行一烘烤步骤;进行一固化步骤;以及对于该介电层进行一电浆处理步骤。2.如申请专利范围第1项所述之抗金属铜扩散能力的介电层之形成方法,其中该介电层包括一含氢矽酸盐层。3.如申请专利范围第1项所述之抗金属铜扩散能力的介电层之形成方法,其中该介电层包括一含甲基矽酸盐层。4.如申请专利范围第1项所述之抗金属铜扩散能力的介电层之形成方法,其中该烘烤步骤包括:将该基底置于摄氏温度约为110度至170度左右的一第一加热板上,烤烤约1分钟;将该基底置于摄氏温度约为180度至230度左右的一第二加热板上,烤烤约1分钟;以及将该基底置于摄氏温度约为280度至350度左右的一第三加热板上,烘烤约1分钟。5.如申请专利范围第1项所述之抗金属铜扩散能力的介电层之形成方法,其中该固化步骤包括将该基底置于摄氏温度约380度至420度左右之一炉管中,进行该固化步骤约30至90分钟。6.如申请专利范围第1项所述之抗金属铜扩散能力的介电层之形成方法,其中该电浆处理步骤中所使用之一电浆包括一氘电浆。7.如申请专利范围第6项所述之抗金属铜扩散能力的介电层之形成方法,其中该氘电浆的操作条件包括操作功率约为90至120瓦、氘气流量约为200至400sccm以及操作温度约为摄氏200至350度左右。8.如申请专利范围第1项所述之抗金属铜扩散能力的介电层之形成方法,其中该电浆处理步骤所使用之一电浆包括一氢电浆。9.一种内连线之形成方法,其系形成于一基底上方,其方法包括:于该基底上形成一含矽酸盐类材料层,该含矽酸盐类材料层之一表面含有复数个悬浮键;提供含有复数个原子之一电浆,其中部份该些原子与该含矽酸盐类材料层之该些悬浮键结合;于该含矽酸盐类材料层上形成一阻障层;于该阻障层上形成一导电层;以及定义该导电层与该阻障层。10.如申请专利范围第9项所述之内连线之形成方法,其中该含矽酸盐类材料层包括一含氢矽酸盐层。11.如申请专利范围第9项所述之内连线之形成方法,其中该含矽酸盐类材料层包括一含甲基矽酸盐层。12.如申请专利范围第9项所述之内连线之形成方法,其中该电浆包括一氘电浆。13.如申请专利范围第12项所述之内连线之形成方法,其中该氘电浆的操作条件包括操作功率约为90至120瓦、氘气流量约为200至400sccm以及操作温度约为摄氏200至350度左右。14.如申请专利范围第9项所述之内连线之形成方法,其中该电浆包括一氢电浆。15.如申请专利范围第9项所述之内连线之形成方法,其中该导电层之材质包括金属铜。16.如申请专利范围第9项所述之内连线之形成方法,其中该导电层之材质包括铜合金。图式简单说明:第一图为在不同制程温度下,金属铜扩散入低介电常数介电层所造成的漏电流随电场大小变化之关系图;第二图A至第二图F所示,为根据本发明一较佳实施例之一种导电层之形成方法流程剖面图;第三图显示未经电浆处理步骤之介电层与分别经由氘电浆处理步骤3分钟、6分钟与9分钟之后,在摄氏500度回火时,介电层之漏电流密度随电场大小变化之关系图;第四图显示经由氘电浆处理之后的介电层,在摄氏500度的回火步骤之后,其介电常数随氘电浆处理时间不同而变化的关系图;以及第五图显示未经电浆处理步骤之介电层与经过氘电浆处理后的介电层,其中元素铜之分布情形。 |
