堆积陶瓷电容器

摘要

本发明系有关于一种堆积陶瓷电容器，随着近年电子电路的小型化、高密度化，就堆积陶瓷电容器而言，乃更为增加电介体层的堆积数与提高电介体层的薄层化，但若电介体层成为5μm以下的话，CR积会有低于所期望值以下得问题。有关本发明之堆积陶瓷电容器的解决手段，乃针对交互堆积电介体层与内部电极之堆积陶瓷电容器，其特征在于:在该电介体层一层中，以一陶瓷粒子所形成的一层一粒子部分的比率为2 0%以上。

主权项

1.一种堆积陶瓷电容器,于交互堆积电介体层与内部电极之堆积陶瓷电容器,其特征在于:在该电介体层一层中,以一陶瓷粒子所形成的一层一粒子部分的比率为20%以上。2.如申请专利范围第1项之堆积陶瓷电容器,其中,前述电介体层具有5m以下的厚度,形成该电介体层的陶瓷粒子具有3.5m以上的平均粒径。3.如申请专利范围第1项或第2项之堆积陶瓷电容器,其中,前述内部电极系由烧成以Ni粉末为主成份的导电糊而形成的。4.如申请专利范围第1或第2项之堆积陶瓷电容器,其中,前述电介体层可用BaTiO3系的陶瓷粒子。5.如申请专利范围第3项之堆积陶瓷电容器,其中,前述电介体层可用BaTiO3系的陶瓷粒子。图式简单说明:第一图系表示有关本发明之实施例的烧成图案例之曲线图。第二图系表示有关本发明之实施例的电介体层断面的陶瓷粒子配列之放大说明图。