| 主权项 |
1.一种测试自行对准金属矽化物的漏电流之方法,适用于一不具有LDD结构的金氧半电晶体之一自行对准金属矽化物制程的监控,该方法包括:考虑监控该自行对准金属矽化物制程的变数包括区域电流密度(JA)、边缘电流密度(JE)和角落电流密度(JC),量测该金属矽化物所得的总电流(J)符合以下之一总电流通式:J=JAA+JEL+JCC其中A表示该金属矽化物的面积,L表示该金属矽化物的边缘之周长,C表示该金属矽化物的角落之个数;于一晶片配置至少三种测试结构,一第一测试结构、一第二测试结构和一第三测试结构,该第一、第二和第三测试结构分别至少包括一第一、第二和第三掺杂区和分别位于该第一、第二和第三掺杂区表面之一第一、第二和第三金属矽化物,该第一、第二和第三掺杂区分别为一第一、第二和第三隔离结构所包围,该第一测试结构之该第一金属矽化物的面积为A1.边缘之周长为L1和角落的个数为C1,该第二测试结构之该第二金属矽化物的面积为A2.边缘之周长为L2和角落的个数为C2,该第三测试结构之该第三金属矽化物的面积为A3.边缘之周长为L3和角落的个数为C3;电性量测该第一测试结构、该第二测试结构和该第三测试结构而得之总电流分别为J1.J2和J3,代入该总电流通式,藉以得到下列三个联立方程式:J1=JAA1+JEL1+JCC1J2=JAA2+JEL2+JCC2J3=JAA3+JEL3+JCC3解该些联立方程式可得一组JA、JE和JC値;以及由该组JA、JE和JC値,来监控该自行对准金属矽化物制程。2.如申请专利范围第1项所述之测试自行对准金属矽化物的漏电流之方法,其中该第一测试结构、该第二测试结构和该第三测试结构系配置于该晶片之一切割道上。3.如申请专利范围第1项所述之测试自行对准金属矽化物的漏电流之方法,其中该第一隔离结构、该第二隔离结构和该第三隔离结构包括浅沟渠隔离结构。4.如申请专利范围第1项所述之测试自行对准金属矽化物的漏电流之方法,更包括将该第一测试结构、该第二测试结构和该第三测试结构所对应之该第一金属矽化物、该第二金属矽化物和该第三金属矽化物的面积A1.A2和A3固定为一定値。5.一种测试自行对准金属矽化物的漏电流之方法,适用于一具有LDD结构的金氧半电晶体之一自行对准金属矽化物制程的监控,该方法包括:考虑监控该自行对准金属矽化物制程的变数包括区域电流密度(JA)、该金属矽化物与一元件隔离结构相邻处的电流密度(Jisolation,L)和该金属矽化物至一LDD区域的电流密度(JLDD,L),量测该金属矽化物所得的总电流(J)符合以下之一总电流通式:J=JAA+Jisolation,LLisolation+JLDD,LLLDD其中A表示该金属矽化物的面积,Lisolation表示该金属矽化物与该元件隔离结构相邻的周长,LLDD表示该LDD的长度;于一晶片配置至少三种测试结构,一第一测试结构、一第二测试结构和一第三测试结构,该第一、第二和第三测试结构分别至少包括一第一、第二和第三掺杂区和分别位于该第一、第二和第三掺杂区表面之一第一、第二和第三金属矽化物,该第一、第二和第三掺杂区分别以一第一、第二和第三隔离结构做电性隔离,该第一、第二和第三掺杂区至少之一具有一LDD结构,该第一测试结构之该第一金属矽化物的面积为A1.该第一金属矽化物与该第一元件隔离结构相邻的周长为Lisolation1和该LDD的长度为LLDD1,该第二测试结构之该第二金属矽化物的面积为A2.该第二金属矽化物与该第二元件隔离结构相邻的周长为Lisolation2和该LDD的长度为LLDD2,该第三测试结构之该第三金属矽化物的面积为A3.该第三金属矽化物与该第三元件隔离结构相邻的周长为Lisolation3和该LDD的长度为LLDD3;电性量测该第一测试结构、该第二测试结构和该第三测试结构而得之总电流分别为J1.J2和J3,代入该总电流通式,藉以得到下列三个联立方程式:J1=JAA1+Jisloation,LLisolation1+JLDD,LLLDDlJ2=JAA2+Jisolation,LLisolation2+JLDD,LLLDD2J3=JAA3+Jisolation,LLisolation3+JLDD,LLLDD3解该些联立方程式可得一组JA、Jisolation,L和LDD,L値;以及由该组JA、Jisolation,L和LDD,L値,来监控该自行对准金属矽化物制程。6.如申请专利范围第5项所述之测试自行对准金属矽化物的漏电流之方法,其中该第一测试结构、该第二测试结构和该第三测试结构系配置于该晶片之一切割道上。7.如申请专利范围第5项所述之测试自行对准金属矽化物的漏电流之方该,其中该第一隔离结构、该第二隔离结构和该第三隔离结构包括浅沟渠隔离结构。8.如申请专利范围第5项所述之测试自行对准金属矽化物的漏电流之方法,更包括将该第一测试结构、该第二测试结构和该第三测试结构所对应之该第一金属矽化物、该第二金属矽化物和该第三金属矽化物的面积A1.A2和A3固定为一定値。9.如申请专利范围第5项所述之测试自行对准金属矽化物的漏电流之方法,更包括:于该晶片配置一第四测试结构,该第四测试结构至少包括一第四掺杂区和位于该第四掺杂区表面之一第四金属矽化物,该第四掺杂区具有该LDD结构,该第四掺杂区为一第四隔离结构做电性隔离,该第四测试结构之该第四金属矽化物的面积为A4.该第四金属矽化物与该第四元件隔离结构相邻的周长为Lisolation4和该LDD的长度为LLDD4,其中该第四测试结构主要系增加与该第四隔离结构邻接之该第四金属矽化物的角落个数;将A4.Lisolation4和LLDD4,以及该组JA、Jisolation,L和LLDD,L値代入该总电流通式,得到一理论总电流Jideal;电性量测该第四测试结构,得到一实际总电流J4;以及比较该实际总电流J4与该理论总电流Jideal,来监控该自行对准金属矽化物制程。10.如申请专利范围第9项所述之测试自行对准金属矽化物的漏电流之方法,其中该第一测试结构、该第二测试结构、该第三测试结构和该第四测试结构系配置于该晶片之一切割道上。11.如申请专利范围第9项所述之测试自行对准金属矽化物的漏电流之方法,其中该第一隔离结构、该第二隔离结构、该第三隔离结构和该第四隔离结构包括浅沟渠隔离结构。12.如申请专利范围第9项所述之测试自行对准金属矽化物的漏电流之方法,更包括将该第一测试结构、该第二测试结构、该第三测试结构和该第四测试结构之该第一金属矽化物、该第二金属矽化物、该第三金属矽化物和该第四金属矽化物的面积A1.A2.A3和A4固定为一定値。图式简单说明:第一图和第二图系桧示习知用于监控自行对准金属矽化物的漏电流之两种测试结构;第三图系绘示一种不具有浅掺杂汲极(LDD)结构之金氧半电晶体的剖面图;第四图、第五图和第六图系绘示根据本发明较佳实施例之一种用于监控自行对准金属矽化物的漏电流之三种不同的测试结构之顶视图,其适用于不具有LDD结构之金氧半电晶体的自行对准金属矽化物制程之监控;第七图系绘示一种具有浅掺杂汲极(LDD)结构之金氧半电晶体的剖面图;以及第八图、第九图、第十图和第十一图系绘示根据本发明较佳实施例之一种用于监控自行对准金属矽化物的漏电流之四种不同的测试结构之顶视图,其适用于具有LDD结构之金氧半电晶体的自行对准金属矽化物制程之监控。 |
