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1.一种半导体装置的制造方法,半导体装置包含一半导体层及与半导体层接触之电极,方法包含步骤为:在半导体层至少顶面上,形成以耐蚀材料构成之保护层;在保护层顶面上形成一罩层,然后形成一开口在罩层中,开口对应电极之图案;就罩层中形成开口而生并附于开口内之余物除去,以保护层保护半导体层;使用罩层选择地除去保护层一面积,该面积系对应开口,乃选择地露出半导体层;及使用罩层在半导体层之露出面上形成电极。2.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中使用氧之灰烬处理除去余物。3.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中保护层为绝缘材料构成。4.如申请专利范围第3项之半导体装置的制造方法,其中保护层为二氧化矽或氮化矽构成。5.如申请专利范围第3项之半导体装置的制造方法,其中保护层为铝构成。6.如申请专利范围第3项之半导体装置的制造方法,其中形成保护层扩展于半导体层之顶面及边上。7.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中以沈积法,电子加速共振溅射或电子加速共振化学气相沈积法形成保护层。8.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中半导体层由三族氮化合物半导体构成,包含氮及至少一三族元素,选自镓、铝、铟及硼所构成之三族元素群。9.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中电极构成之金属选自镍与铂构成之群至少之一。10.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中半导体层包含多数半导体层,半导体层包含至少第一导电式覆层,主动层及第二导电式覆层,系彼此堆叠,第一导电式覆层、主动层及第二导电式覆层系于形成电极步骤中电连接至电极,乃形成半导体发光装置。11.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中电极为电晶体之源电极或汲电极。图式简单说明:第一图截面图说明本发明第一例增益导波式LD之制造程序。第二图截面图说明第一图延续之制程。第三图截面图说明第二图延续之制程。第四图截面图说明第三图延续之制程。第五图截面图说明第四图延续之制程。第六图截面图说明第五图延续之制程。第七图截面图说明第六图延续之制程。第八图截面图说明第七图延续之制程。第九图截面图说明本发明第二例之脊导波式LD之制程。第十图截面图说明第九图延续之制程。第十一图截面图说明第十图延续之制程。第十二图截面图说明第十一图延续之制程。第十三图截面图说明第十二图延续之制程。第十四图截面图说明第十三图延续之制程。第十五图截面图说明第十四图延续之制程。第十六图截面图说明第十五图延续之制程。第十七图截面图说明本发明第三例之脊导波式LD之制程。第十八图截面图说明本发明第四例之脊导波式LD之制程。第十九图说明本发明第五例之LED制程。第二十图截面图说明本发明第六例之场效电晶体之制程。第二十一图截面图说明第二十图延续之制程。 |
