发明名称 复合分布作用谐振腔及复合分布作用振荡器
摘要 本创作系关于一种复合分布作用谐振腔及复合分布作用振荡器,以多个相互耦合的双重入式环形谐振腔和一个长度约在半个波长之同轴腔所组成,该同轴腔为设在介于整个谐振腔所形成之第一、第二间隙之间,构成一种可在单一谐振腔中结合有惯性群聚与分布式行波群聚的双重机制,于电子流受第一间隙高频电场调变后,进入同轴腔进行漂移群聚,于群聚电子团进入第二间隙时,恰好是间隙高频场最佳减速相位,电子流在此间隙处激励起强高频场,并透过耦合槽反馈至第一间隙,因此令第一间隙的高频电压使群聚更为紧密,从而获致高效率之优点。
申请公布号 TW444981 申请公布日期 2001.07.01
申请号 TW088208123 申请日期 1999.05.20
申请人 朱国瑞;陈丽明 美国 发明人 陈丽明;郭和忠;陈汉颖;曹明雄;杨滋德;蔡颐锦;朱国瑞
分类号 H03B5/00 主分类号 H03B5/00
代理机构 代理人 林镒珠 台北市长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种复合分布作用谐振腔,包括:一多间隙重入式环形谐振腔,为由多个相互耦合之双重入式环形谐振腔中接构成,而在各个谐振腔之间为形成有相应之间隙;一同轴腔,为设置在介于前述环形谐振腔的第一与第二间隙之间,同轴腔内导体中间予以贯穿,形成电子流无场漂移群聚段,而其头、尾两端设耦合槽缝,以形成电磁波能量反馈通路;构成一种兼具惯性群聚与行波群聚之双重机制之复合分布作用谐振腔者。2.如申请专利范围第1项所述之复合分布作用谐振腔,其中该同轴腔的长度为二分之一波长者。3.如申请专利范围第1或2项所述之复合分布作用谐振腔,其中为至少具有一个同轴段者。4.如申请专利范围第1项所述之复合分布作用谐振腔,其中该同轴腔可由两个同轴子腔组合而成。5.如申请专利范围第1或4项所述之复合分布作用谐振腔,其中该同轴腔设有穿出腔壁之调谐开口,可供调谐机构插入与进行频率调谐者。6.一种复合分布作用振荡器,包括:一多间隙重入式环形谐振腔,为由多个相互耦合之双重入式环形谐振腔相互串接构成,而在各个谐振腔之间为形成有相应之间隙;一同轴腔,为设置在介于前述环形谐振腔的第一与第二间隙之间,同轴腔内导体中间予以贯穿,形成有电子流无场漂移群聚段,而其头、尾两端设耦合槽缝,以形成电磁波能量反馈通路;形成一种兼具惯性群聚与行波群聚之双重机制之复合分布作用谐振腔;及一电子枪与一收集极,分配置于该复合分布作用谐振腔的两端位置,供射入及回收电子流;据以形成一应用于微波和毫米波发射器中之复合分布作用振荡器者。7.如申请专利范围第6项所述之复合分布作用振荡器,其中该同轴腔的长度为二分之一波长者。8.如申请专利范围第6或7项所述之复合分布作用振荡器,其中为至少具有一个同轴段者。9.如申请专利范围第6项所述之复合分布作用振荡器,其中该同轴腔可由两个同轴子腔组合而成。10.如申请专利范围第6或9项所述之复合分布作用振荡器,其中该同轴腔设有穿出腔壁之调谐开口,可供调谐机构插入与进行频率调谐者。图式简单说明:第一图(a):系本创作复合分布作用振荡器之示意图。第一图(b):系传统分布作用振荡器之结构示意图。第二图(a):系本创作之谐振腔的立体剖面图。第二图(b):系本创作之谐振腔的立体系统分解图。第三图:系本创作之谐振子腔电场结构图。第四图(a):系本创作之色散曲线图。第四图(b):系本创作之色散曲线、电子速度线图。第五图:系本创作之复合分布作用振荡器剖面图。第六图:系传统分布作用振荡器功率、效率与电流曲线图。第七图:系本创作之功率、效率与电流曲线图。第八图:系本创作之另一功率、效率与电流曲线图。第九图:系本创作之实施例剖面图。第十图:系本创作与传统分布作用振荡器之性能比较表。第十一图(a)~第十一图(f):系一般大功率微波管架构示意图。
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