| 主权项 |
1.一种静电放电保护电路的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底上形成有一浅沟渠隔离结构,以定义出一元件主动区与一保护电路区,且该元件主动区与该保护电路区中分别形成有一第一金氧半电晶体与一第二金氧半电晶体,而该第一金氧半电晶体具有一第一闸极、一第一源极区与一第一汲极区,该第二闸极具有一第二闸极、一第二源极区与一第二汲极区;形成一绝缘层于该基底上;平坦化该绝缘层;形成图案化之一光阻层于该基底上,该光阻层暴露出一部份保护电路区以及该元件主动区上的该绝缘层,且该光阻层至少覆盖位该第二汲极区上的该绝缘层;以该光阻层为罩幕,去除该部份保护电路区以及该元件主动区上的该绝缘层,直至裸露出该基底为止;去除该光阻层;以及进行一自行对准金属矽化物制程,以在该第一金氧半电晶体的该第一闸极、该第一源极区与该第一汲极区上各自形成一矽化金属层,并在暴露出之该部份保护电路区形成至少一自行对准矽化金属层。2.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护电路的制造方法,其中形成该绝缘层之方法包括以化学气相沉积法沉积一二氧化矽层。3.如申请专利范围第2项所述之静电放电保护电路的制造方法,其中该二氧化矽层的厚度约为5000埃至10000埃之间。4.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护电路的制造方法,其中平坦化该绝缘层之方法包括化学机械研磨法。5.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护电路的制造方法,其中该光阻层仅覆盖住该第二汲极区上的该绝缘层。6.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护电路的制造方法,其中该光阻层除覆盖住该第二汲极区上的该绝缘层之外更覆盖住该第二闸极上的该绝缘层。7.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护电路的制造方法,其中该部份保护电路区包括该第二闸极与该第二源极区。8.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护电路的制造方法,其中该部份保护电路区包括该第二源极区。9.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护电路的制造方法,其中去除该部份保护电路区以及该元件主动区上的该绝缘层之方法包括反应性离子蚀刻法。10.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护电路的制造方法,其中该矽化金属层包括矽化钛层。图式简单说明:第一图A至第一图D所绘示为习知静电放电保护电路的制造流程剖面示意图;以及第二图A至第二图D所绘示为依照本发明之较佳实施例,一种静电放电保护电路的制造流程剖面示意图。 |
