| 主权项 |
1.一种形成半导体结构之方法,其包括:供应一露出最后金属化层之结构;清理该最后金属化层;在该最后金属化层顶部形成一矽化物;以及在该矽化物上形成一接头。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该最后金属化层包括铜。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中该清理包括施予一种氨电浆和一种氢电浆于该最后金属化层上。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中该形成该矽化物包括在该最后金属化层厚度顶端10%至20%处形成该矽化物。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中该形成该接头包括形成一种以电力方式连接矽化物之铅和锡的焊接头。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中该形成该接头包括形成一种以物理方式连接至该矽化物之氮化矽层,该矽化物层包含一开口使其直接与矽化物以电力接触。7.根据申请专利范围第6项之方法,其中该结构包括在该氮化矽层上有绝缘层。8.一种形成接触的方法,其包括:供应一露出最后金属化层之结构;清理该金属化层;在该最后金属化层顶部形成一矽化物;以及与该矽化物形成一连接。9.根据申请专利范围第8项之方法,其中该金属化层包括铜。10.根据申请专利范围第8项之方法,其中该清理包括施予一种氨电浆和一种氢电浆于该金属化层上。11.根据申请专利范围第8项之方法,其中该形成该矽化物包括在该最后金属化层厚度顶端20%处形成该矽化物。12.根据申请专利范围第8项之方法,其中该形成该接头包括形成一种以电力方式连接矽化物之铅和锡的焊接头。13.根据申请专利范围第8项之方法,其中该形成该接头包括形成一程以物理方式连接至该矽化物之氮化矽层,该矽化物层包含一开口使其直接与矽化物以电力接触。14.根据申请专利范围第13项之方法,其中该结构包括在该氮化矽层上有绝缘层。15.一种具有至少两层相互连接之冶金层的半导体元件,该半导体元件包括:实质上不含矽化物的第一冶金层:和含有黏合垫之最上层的冶金层,其中该上层顶部具有一矽化物表面。16.根据申请专利范围第15项之半导体元件,其中该相互连接冶金层包含铜。17.根据申请专利范围第15项之半导体元件,其中在形成该矽化表面之前,藉施予一种氨电浆和一种氢电浆可清理该最上层。18.根据申请专利范围第15项之半导体元件,其中该矽化表面涵盖该最上层厚度顶端10%至20%处。19.根据申请专利范围第15项之半导体元件,另外包含一种以电力方式连接该矽化表面之铅或锡的焊接头。20.根据申请专利范围第19项之半导体元件,另外包括形成一种以物理方式连接至该矽化物之氮化矽层而且具有一开口使其直接与矽化物以电力接触。图式简单说明:第一图是一个最后金属化层和接头连接的概要图;和第二图是一个说明本发明较佳方法之流程图。 |
