| 主权项 |
1.一种半导体基底上之闸极阵列基础元件之结构,其包括:一第一基座,具有二个第一主动区域,一该第一主动区域具有二个第一P型电晶体,另一该第一主动区域具有二个第一N型电晶体;一第二基座,具有二个第二主动区域,一该第二主动区域具有二个第二P型电晶体,另一该第二主动区域具有二个第二N型电晶体,其中,该第一基座之面积大于该第二基座之面积;以及复数个基底接点,部分该些基底接点位于该第二基座上之该二个第二P型电晶体间,其余之该些基底接点位于该第二基座上之该二个第二N型电晶体间,藉以使得当该第一基座之该些P型电晶体及N型电晶体与该第二基座之该些P型电晶体及N型电晶体之间欲连接至一参考电压时,可以经由该些基底接点取得。2.如申请专利范围第1项所述之闸极阵列基础元件之结构,其中该第一基座上之该第一P型电晶体与该第一N型电晶体之闸极连接在一起,而该第二基座上之该第二P型电晶体与该第二N型电晶体之闸极并未连接在一起,藉以增加不同之设计需求。3.如申请专利范围第1项所述之闸极阵列基础元件之结构,其中位于该第二基座上之该二个第二P型电晶体间之该些基底接点系位于该二个第二P型电晶体之闸极间,而位于该第二基座上之该二个第二N型电晶体间之该些基底接点系位于该第二N型电晶体之闸极间。4.如申请专利范围第1项所述之闸极阵列基础元件之结构,其中该第一P型电晶体之面积大于第二P型电晶体之面积。5.如申请专利范围第1项所述之闸极阵列基础元件之结构,其中该第一N型电晶体之面积大于第二N型电晶体之面积。6.如申请专利范围第1项所述之闸极阵列基础元件之结构,其中该第一P型电晶体之面积大于第一N型电晶体之面积。7.如申请专利范围第1项所述之闸极阵列基础元件之结构,其中该第二P型电晶体之面积大于第二N型电晶体之面积。8.一种半导体基底上之闸极阵列基础元件之结构,其包括:一第一基座,具有二个第一主动区域,一该第一主动区域具有二个第一P型电晶体,另一该第一主动区域具有二个第一N型电晶体,其中,该第一P型电晶体与该第一N型电晶体之闸极连接在一起;一第二基座,具有二个第二主动区域,一该第二主动区域具有二个第二P型电晶体,另一该第二主动区域具有二个第二N型电晶体;以及复数个基底接点,部分该些基底接点位于该第二基座上之该二个第二P型电晶体间,其余之该些基底接点位于该第二基座上之该二个第二N型电晶体间,藉以使得当该第一基座之该些P型电晶体及N型电晶体与该第二基座之该些P型电晶体及N型电晶体欲连接至一参考电压时,可以经由该些基底接点连接。9.如申请专利范围第8项所述之闸极阵列基础元件之结构,其中该第一P型电晶体之面积大于第二P型电晶体之面积。10.如申请专利范围第8项所述之闸极阵列基础元件之结构,其中该第一N型电晶体之面积大于第二N型电晶体之面积。11.如申请专利范围第8项所述之闸极阵列基础元件之结构,其中该第一P型电晶体之面积大于第一N型电晶体之面积。12.如申请专利范围第8项所述之闸极阵列基础元件之结构,其中该第二P型电晶体之面积大于第二N型电晶体之面积。13.一种半导体基底上之闸极阵列基础元件之结构,其包括:一第一基座,具有二个第一主动区域,一该第一主动区域具有二个第一P型电晶体,另一该第一主动区域具有二个第一N型电晶体,其中,该第一P型电晶体与该第一N型电晶体之闸极连接在一起;一第二基座,具有二个第二主动区域,一该第二主动区域具有二个第二P型电晶体,另一该第二主动区域具有二个第二N型电晶体,其中,该第二P型电晶体与该第二N型电晶体之闸极并未连接在一起,且该第一基座之面积大于该第二基座之面积;以及复数个基底接点,部分该些基底接点位于该第二基座上之该二个第二P型电晶体之闸极间,其余之该些基底接点位于该第二基座上之该二个第二N型电晶体之闸极间,藉以使得当该第一基座之该些P型电晶体及N型电晶体与该第二基座之该些P型电晶体及N型电晶体欲连接至一参考电压时,可以经由该些基底接点连接。图式简单说明:第一图系显示一种习知闸极阵列基础元件之结构配置图;第二图系显示根据本创作较佳实施例之闸极阵列基础元件之结构图;第三图系显示利用第二图之基础元件结构之电源/接地线路配置图;第四图A系显示一具有二输入端NAND之电路图;第四图B系显示利用第二图之基础元件结构来完成第四图A之具有二输入端NAND电路之线路配置图;第五图A系显示一传输闸极(Transmission)之电路图;以及第五图B系显示利用第二图之基础元件结构来完成第五图A之传输闸极电路之线路配置图。 |
