| 主权项 |
1.一种半导体装置之电容器,包括:一在半导体基片上形成的绝缘体,具触孔;一扩散阻障层模式可经由绝缘层模式来连接至半导体基片,以Al与N形成或自Ta、Mo、Nb、W中选出的金属元素;一储存节点,在扩散阻障层模式中形成;一介质层,在储存节点上形成;与一平板节点,在介质层上形成。2.如申请专利范围第1项之电容器,更包括了埋藏在扩散阻障层模式下的传导柱塞。3.如申请专利范围第2项之电容器,其中的柱塞以含有矽与钨的金属材质来形成。4.如申请专利范围第1项之电容器,其中的储存与平板节点以以下金属元素的组合形成:Pt、Rh、Ru、Ir、Os、Pd、PtOx、RhOx、OsOx、PdOx、CaRuO3.SrRuO3.CaIrO3.SrIrO3.Cu、Al、Ta、WSix、Mo、MoSix、W、Au、TiN或TaN。5.如申请专利范围第1项之电容器,其中的金属的含量相对于扩散阻障层模式为1-60原子%。6.如申请专利范围第2项之电容器,其中的金属是Ta。7.如申请专利范围第1项之电容器,其中的Al的含量相对于扩散阻障层模式为1-60原子%。8.如申请专利范围第1项之电容器,其中的氮原子的含量相对于扩散阻障层模式为1-60原子%。9.如申请专利范围第1项之电容器,其中扩散阻障层模式更包括氧气。10.如申请专利范围第9项之电容器,其中的氧原子的含量相对于扩散阻障层模式为1-50原子%。11.如申请专利范围第1项之电容器,其中扩散阻障层模式以Ta2O5.SrTiO3.Ba(Sr,Ti)O3.Pb(Zr,Ti)O3.SrBi2Ta2O9.(Pb,La)(Zr,Ti)O3.Bi4Ti3O12形成。12.一种半导体装置之电容器之制造方法,包括步骤如下:a)在半导体基片上形成具触孔的绝缘层模式;b)形成连接至半导体基片的扩散阻障层,经由触孔,以Al或N形成,以及自Ta、Mo、Nb、W群组选出的金属元素形成;c)在扩散阻障层中形成储存节点;d)模式化储存节点层与扩散阻障层,以形成储存节点与扩散阻障层模式;e)形成介质层涵盖储存节点;与f)在介质层上形成平板节点。13.如申请专利范围第12项之制造方法,更包括形成传导柱塞,埋藏在扩散阻障层的触孔的步骤。14.如申请专利范围第13项之制造方法,其中的传导柱塞以传导材质,包括矽与钨与两者结合体的材质作成。15.如申请专利范围第12项之制造方法,其中的储存与平板节点以选自Pt、Rh、Ru、Ir、Os、Pd、PtOx、RhOx、OsOx、PdOx、CaRuO3.SrRuO3.CaIrO3.SrIrO3.Cu、Al、Ta、WSix、Mo、MoSix、W、Au、TiN或TaN的元素制成。16.如申请专利范围第12项之制造方法,其中的金属元素对扩散阻障层的比例为1-60原子%。17.如申请专利范围第13项之制造方法,其中的金属为Ta。18.如申请专利范围第12项之制造方法,其中的Al元素对扩散阻障层的比例为1-60原子%。19.如申请专利范围第12项之制造方法,其中的氮原子对扩散阻障层的比例为1-60原子%。20.如申请专利范围第13项之制造方法,其中的扩散阻障层更包括氧原子。21.如申请专利范围第20项之制造方法,其中的氧元素对扩散阻障层的比例为1-50原子%。22.如申请专利范围第12项之制造方法,其中介质层模式以Ta2O5.SrTiO3.Ba(Sr,Ti)O3.Pb(Zr,Ti)O3.SrBi2Ta2O9.(Pb,La)(Zr,Ti)O3.Bi4Ti3O12形成。图式简单说明:第一图为半导体装置的切面图,依本发明说明扩散阻障层的具体实施例;第二图为数据图,说明在不同退火温度下退火氧化周围空气的Ta-Al-N-O层与TaN层的阻抗値;第三图为数据图,说明以退火氧化周围空气退火的多晶Si/Ti/Ta-Al-N-O层结构的阻抗値;第四图为半导体装置的切面图,依本发明说明电容器的具体实施例;与第五图到第七图为半导体装置的切面图,依本发明说明电容器的制造方法。 |
