| 主权项 |
1.一种阴极射线管(CRT),具有:一玻璃面板,至少一滤光层,涂布在该玻璃面板的内表面,具有奈米尺寸的微小金属粒子分散在介电基材并至少具有一特定波长的吸收峰,和一萤光层形成在该至少一滤光层。2.如申请专利范围第1项的阴极射线管,其中该金属粒子是由金、银、铜、白金和钯的金属群中所选出的。3.如申请专利范围第1项的阴极射线管,其中该金属粒子的含量相对于介电基材总莫耳数为1-20mol%。4.如申请专利范围第1项的阴极射线管,其中该介电基材是由氧化矽、氧化钛、氧化锆和氧化铝中所选出的至少一种介电材料。5.如申请专利范围第4项的阴极射线管,其中该介电基材具有氧化矽和氧化钛的莫耳比为1:1或是氧化锆和氧化铝莫耳比为8:2。6.如申请专利范围第1项的阴极射线管,其中该至少一滤光层是一单一层而该金属粒子是两种以上不同金属所以该滤光层有两种以上波长的吸收峰。7.一种阴极射线管(CRT),具有:一玻璃面板,至少一滤光层,涂布在该玻璃面板的外表面,具有奈米尺寸的微小金属粒子分散在介电基材并至少具有一特定波长的吸收峰,和一萤光层形成在该玻璃面板的内表面。8.如申请专利范围第7项的阴极射线管,其中该金属粒子是由金、银、铜、白金和钯的金属群中所选出的。9.如申请专利范围第7项的阴极射线管,其中该金属粒子的含量相对于介电基材总莫耳数为1-20mol%。10.如申请专利范围第7项的阴极射线管,其中该介电基材是由氧化矽、氧化钛、氧化锆和氧化铝中所选出的至少一种介电材料。11.如申请专利范围第10项的阴极射线管,其中该介电基材具有氧化矽和氧化钛的莫耳比为1:1或是氧化锆和氧化铝莫耳比为8:2。12.如申请专利范围第7项的阴极射线管,其中该至少一滤光层是一单一层而该金属粒子是两种以上不同金属所以该滤光层有两种以上波长的吸收峰。13.一种阴极射线管(CRT),具有:一玻璃面板,一第一滤光层,涂布在该玻璃面板内表面,具有奈米尺寸的微小金属粒子分散在介电基材并至少具有第一特定波长的吸收峰,一第二滤光层,涂布在该玻璃面板外表面,具有奈米尺寸的微小金属粒子分散在在价电基材并至少具有第二特定波的吸收峰,和一萤光层形成在该第一滤光层。14.如申请专利范围第13项的阴极射线管,其中该金属粒子是由金、银、铜、白金和钯的金属群中所选出的。15.如申请专利范围第13项的阴极射线管,其中该金属粒子的含量相对于介电基材总莫耳数为1-20mol%。16.如申请专利范围第13项的阴极射线管,其中该介电基材是由氧化矽、氧化钛、氧化锆和氧化铝中所选出的至少一种介电材料。17.如申请专利范围第16项的阴极射线管,其中该介电基材具有氧化矽和氧化钛的莫耳比为1:1或是氧化锆和氧化铝莫耳比为8:2。18.如申请专利范围第13项的阴极射线管,其中该至少一滤光层是一单一层而该金属粒子是两种以上不同金属所以该滤光层有两种以上波长的吸收峰。图式简单说明:第一图是传统CRT面板的部份横截面。第二图是用于传统CRT的传统萤光粉的光谱分布。第三图a是本发明CRT面板的部份横截面。第三图b是本发明实施例CRT面板的部份横截面。第四图是本发明另一实施例CRT面板的部份横截面。第五图是本发明另一实施例CRT面板的部份横截面。第六图是本发明另一实施例CRT面板的部份横截面。第七图是发明另一实施例CRT面板的部份横截面。第八图是发明滤光层的穿透光谱分布。 |
