| 主权项 |
1.一种制造光学波导组件之方法,该组件具有矽石基质以及光学图案形成于其中,该方法包含下列步骤:沉积矽遮罩层于矽石基质上,遮罩层厚度至少为一微米;当沉积出遮罩层时以离子撞击遮罩层,以减小遮罩层中压应力或张应力或两者,否则其将使矽石基质弯曲或产生裂缝,压应力或张应力或两者通常小于或等于200MPa每微米遮罩层厚度;以及蚀刻遮罩层以界定出光学图案于矽石基质中。2.依据申请专利范围第1项之方法,其中沉积遮罩步骤系使用电子束辅助汽化之物理沉积处理法进行。3.依据申请专利范围第1项之方法,其中撞击遮罩层之离子为氩离子。4.依据申请专利范围第1项之方法,其中遮罩层由矽原子形成,以及更进一步在沉积遮罩层以及撞击遮罩层步骤之过程中离子与矽原子比例为1:10或更大。5.依据申请专利范围第4项之方法,其中离子与矽原子比例为2:10或更大。6.依据申请专利范围第1项之方法,其中离子能量在50-100eV范围内。7.依据申请专利范围第1项之方法,其中撞击遮罩层离子为惰性气体。8.依据申请专利范围第7项之方法,其中撞击遮罩层离子包含氢离子混合惰性气体离子。9.依据申请专利范围第8项之方法,其中惰性气体离子为氩离子。10.依据申请专利范围第1项之方法,其中张应力等于或小于200Mpa每微米。11.依据申请专利范围第1项之方法,其中压应力等于或小于200Mpa每微米。12.依据申请专利范围第1项之方法,其中压应力以及张应力等于或小于200Mpa每微米之遮罩层厚度。13.依据申请专利范围第1项之方法,其中光学图案为波导。14.依据申请专利范围第1项之方法,其中光学图案为一种由波导,光栅或透镜种类选取出。15.依据申请专利范围第1项之方法,其中光学图案在矽石基质内形成光学特征。16.依据申请专利范围第1项之方法,其中矽石基质界定出心蕊区域或外包层区域或两者。17.依据申请专利范围第1项之方法,其中矽石基质为含有掺杂剂之矽石。18.一种制造光学波导组件之方法,该组件具有矽石基质以及光学图案形成于其中,该方法包含下列步骤:利用物理沉积法沉积矽遮罩层直接地在矽石基质上至厚度至少为一微米;当沉积出遮罩层时以惰性气体离子撞击遮罩层,以减小遮罩层中压应力或张应力或两者,否则其将使矽石基质弯曲或产生裂缝,而小于或等于200MPa每微米之遮罩层厚度,因而形成蚀刻遮罩层以界定出光学图案于矽石基质中。20.依据申请专利范围第19项之方法,其中惰性气体离子为氩离子。21.依据申请专利范围第19项之方法,其中惰性气体离子能量在50-100eV范围内。22.依据申请专利范围第19项之方法,其中矽石基质为含有掺杂剂矽石。23.依据申请专利范围第19项之方法,其中矽石基质界定出心蕊区域或外包层区域或两者。24.依据申请专利范围第19项之方法,其中光学图案为波导。25.依据申请专利范围第19项之方法,其中光学图案为一种由波导,光栅或透镜种类选取出。26.依据申请专利范围第19项之方法,其中光学图案在矽石基质内形成光学特征。27.依据申请专利范围第19项之方法,其中物理沉积法包含电子束辅助汽化。图式简单说明:第一图为实施本发明方法适当装置之示意图。第二图显示出图案化矽石层制造过程,其中处理过程中矽遮罩藉由本发明方法制造出,第二图A至第二图H列举制造过程之不同步骤。 |
