| 主权项 |
1.一种具溢胶防止结构半导体封装件之制法,系包括下列步骤:准备一结合有溢胶防止结构之导线架,使该导线架之顶面位于该溢胶防止结构内之部位与该导线架位于溢胶防止结构外之其余部位隔开,并于该导线架之顶面位在该溢胶防止结构内之部位上形成有一晶片黏置区及一位在该晶片黏置区外侧之焊接区;将该结合有溢胶防止结构之导线架置入一具有开槽形成块之封装模具中,封装模具之开槽形成块设有至少一个贯穿通道以连结一排气装置,以该排气装置将贯穿通道内之空气排除,使贯穿通道内形成一负压空间而使该导线架之顶面位于溢胶防止结构内之部位平贴至该开槽形成块之底面上;注胶于该封装模具中以形成一具有开槽而与该导线架结合之封装胶体,令该导线架上之晶片黏置区与焊接区外露于该开槽中;黏设一半导体晶片至该导线架之晶片黏置区上;导电连接该半导体晶片与导线架之焊接区;以及盖接一盖片至该封装胶体上,以封盖住该封装胶体之开槽。2.如申请专利范围第1项之制法,其中,该溢胶防止结构系由一成型于该导线架顶面上之胶堤以及一黏贴至该导线架底面上之贴片所构成,且该胶堤系同时与该导线架与贴片相连结。3.如申请专利范围第1项之制法,其中,该封装模具系由一上模及一得与上模合模之下模所组成。4.如申请专利范围第1或3项之制法,其中,该开槽形成块系一体设于该上模中。5.如申请专利范围第1项之制法,其中,该开槽形成块底面系一平整平面。6.如申请专利范围第1项之制法,其中,该排气装置系一真空帮浦。7.如申请专利范围第1项之制法,其中,该导线架系由多数之导脚所构成。8.如申请专利范围第1项之制法,其中,该导线架系由一晶片座与多数之导脚所构成。9.如申请专利范围第1项之制法,其中,该导线架之材料系由选自铜、铝、铜合金、铝合金等可挠性金属所组成之组群之一者。10.如申请专利范围第2项之制法,其中,该溢胶防止结构之胶堤系由矽胶、环氧树脂或聚亚醯胺制成。11.如申请专利范围第2项之制法,其中,该溢胶防止结构之贴片系由聚亚醯胺树脂或适当之金属材料制成。12.如申请专利范围第1项之制法,其中,该贯穿通道之直径宜小于该晶片座之边长。13.如申请专利范围第1或2项之制法,其中,该开槽形成块之周缘对应于该胶堤。14.如申请专利范围第1项之制法,其中,导电连接该半导体晶片与导线架之焊接区系藉多数焊线为之。15.如申请专利范围第14项之制法,其中,该焊线系为金线。图式简单说明:第一图A至第一图G系用以说明本发明实施例之半导体封装件制程之流程示意图;以及,第二图系利用习知方式制作半导体封装件于模压制程中合模后之剖视图。 |
