| 主权项 |
1.一种发光二极体,至少包括:一磊晶结构,该磊晶结构上具有复数个III-V化合物磊晶半导体层,当通入电流之后产生光;一矽基板,该矽基板之两侧分别具有一第一与第二欧姆接触金属层;以及一低温焊接层,用以黏合该磊晶结构与该矽基板。2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体,其中该低温焊接层之材质为金-锡合金、铅-锡合金或铟。3.如申请专利范围第1项所述之发光二极体,其中更包括一高反射率之欧姆接触金属层位于该磊晶结构上。4.如申请专利范围第3项所述之发光二极体,其中更包括一抗融化金属层位于该高反射率之欧姆接触金属层与该低温焊接层之间。5.如申请专利范围第3项所述之发光二极体,其中该高反射率之欧姆接触金属层之材质系选自于金、铝、与银所组成之族群。6.如申请专利范围第1项所述之发光二极体,其中该磊晶结构包括一表面覆盖层,该表面覆盖层的载子浓度大于1019cm-3。7.如申请专利范围第6项所述之发光二极体,其中该表面覆盖层之材质包括砷化镓(GaAs)。8.如申请专利范围第1项所述之发光二极体,其中该磊晶结构包括一材质为磷化铝镓铟(AlxGa1-x)0.5In0.5P之活性层,其铝含量为0≦x≦0.45。9.如申请专利范围第8项所述之发光二极体,其中该磊结构包括一上包覆层,该上包覆层之材质为碟化铝镓铟(AlxGa1-x)0.5 In0.5P,其铝含量为0.5≦x≦1。10.如申请专利范围第8项所述之发光二极体,其中该磊晶结构包括一下包覆层,该下包覆层之材质为磷化铝镓铟(AlxGa1-x)0.5In0.5P,其铝含量为0.5≦x≦1。11.如申请专利范围第1项所述之发光二极体,其中该磊晶结构包括一材质为砷化铝镓(AlxGa1-x)As之活性层。12.如申请专利范围第11项所述之发光二极体,其中该磊晶结构包括一上包覆层,该上包覆层之材质为砷化铝镓(AlxGa1-x)As。13.如申请专利范围第11项所述之发光二极体,其中该磊晶结构包括一下包覆层,该下包覆层之材质为砷化铝镓(AlxGa1-x)As。14.如申请专利范围第1项所述之发光二极体,其中该磊晶结构包括一量子井结构之活性层。15.一种发光二极体之制造方法,至少包括:提供一磊晶结构,该磊晶结构上具有复数个III-V化合物磊晶半导体层,当通入电流之后产生光;提供一矽基板,该矽基板之两侧分别具有一第一与第二欧姆接触金属层;以及提供一低温焊接层,用以黏合该磊晶结构与该矽基板。16.如申请专利范围第15项所述之发光二极体之制造方法,其中该低温焊接层之材质为金-锡合金、铅-锡合金或铟。17.如申请专利范围第15项所述之发光二极体之制造方法,其中该磊晶结构包括依序堆叠之一第一导电型基板、一第一导电型蚀刻终止层、一第一导电型之下包覆层、一活性层、一第二导电型之上包覆层以及一第二导电型之表面覆盖层。18.如申请专利范围第17项所述之发光二极体之制造方法,其中该第一导电型基板之材质包括砷化镓。19.如申请专利范围第17项所述之发光二极体之制造方法,其中该第一导电型蚀刻终止层之材质为磷化铟镓与砷化铝镓之一者。20.如申请专利范围第17项之发光二极体之制造方法,其中该活性层是一量子井结构。21.如申请专利范围第17项所述之发光二极体之制造方法,其中在黏合该磊晶结构与该矽基板的步骤之前,更包括形成一高反射率之第三欧姆接触金属层于该第二导电型之表面覆盖层上。22.如申请专利范围第21项所述之发光二极体之制造方法,其中该高反射率之第三欧姆接触金属层之材质系选自于金、铝、与银所组成之族群。23.如申请专利范围第17项所述之发光二极体之制造方法,其中在黏合该磊晶结构与该矽基板的步骤之后,更包括去除该第一导电型基板与该第一导电型蚀刻终止层。24.如申请专利范围第23项所述之发光二极体之制造方法,其中去除该第一导电型蚀刻终止层与该第一导电型基板之方法包括化学蚀刻法与乾式蚀刻法二者之一。25.如申请专利范围第23项所述之发光二极体之制造方法,其中在去除该第一导电型基板与该第一导电型蚀刻终止层之步骤后更包括提供一第四欧姆接触金属层覆盖该下包覆层。图式简单说明:第一图至第三图系绘示依据本发明一较佳实施例之发光二极体之制造流程示意图;以及第四图系绘示传统之发光二极体结构示意图。 |
