| 主权项 |
1.一种晶片电感器之制造方法,a.绝缘基板以复数条纵向分割线及横向分割线于表面规划形成有数个大小一致之单体晶片,并经端子面穿孔处理;b.于绝缘基板上之每一单体晶片两侧间之贯孔内,填入金属膜于孔壁以形成导接金属膜;c.于绝缘基板之每单体晶片正面及背面两侧印刷金属膜以形成端子面;d.并组装固定电感器;e.将绝缘基板过IR炉使电感器焊固着接于绝缘基板单体晶片之端子面上;f.对绝缘基板进行清洗及烘乾;g.并进一步对绝缘基板上表层涂胶或隔层绝缘材料形成隔离层保护;h.采以切割成单体晶片;i.实施对晶片电感器成品测试;藉由绝缘基板单体晶片之间纵向贯孔壁内填入金属膜形成导按金属膜,俾能连结上下层之端子面,达到使电感器组装迅速与确保其电感特性者。2.如申请专利范围第1项所述之晶片电感器之制造方法,其中绝缘基板于端子面及穿孔处理步骤中施打有纵向贯孔时,系可一并于每单体晶片中央横向设有凹置部,供同轴式(AXIAL)电感器得以其本体下部嵌置入,其两端之端脚直接焊固于单体晶片两侧之端子面上导电连接。3.如申请专利范围第1项所述之晶片电感器之制造方法,其中绝缘基板于端子面及穿孔处理步骤中施打有纵向贯孔时,系可一并于每单体晶片两侧端子面上贯穿有插置孔,供辐射式(RADIAL)或同轴式(AXIAL)电感器之端脚插置并焊固于端子面上导电连接。图式简单说明:第一图所示系习有电感器封装方式示意图。第二图所示系本发明之制造方法流程图。第三图所示系本发明绝缘基板经穿孔及端子面处理后之立体图。第四图所示系本发明经切割后之单体晶片之上视立体图。第五图所示系本发明经切割后之单体晶片之背视立体图。第六图所示为依照第四图之6-6剖切线及箭头所指之方向视得之剖面图。第七图所示系本发明之单体晶片共结同轴式电感器之实施例图。第八图所示系本发明另一实施例之单体晶片剖视图。第九图所示系本发明之第八图所示之单体晶片共结幅射式电感器之实施例图。第十图所示系本发明之第八图所示之单体晶片共结同轴式电感器之实施例图。 |
