发明名称 影像显示装置
摘要 本发明系关于影像显示装置,特别是关于适用于将发光元件排列成矩阵状,藉由控制其之发光以显示影像之影像显示装置有效之技术。本发明之课题在于提供:可以降低消耗电力之影像显示装置。其解决手段为具备包含:具有复数个之电晶体元件;及具有被设置于前述每一个电晶体元件之同时,以下部电极、绝缘层、上部电极之顺序积层之构造,在上述上部电极施加正极性之电压之际,由上述上部电极表面放出电子之电子源元件;及被设置在第l方向之第l信号线;及被设置在与前述第l方向正交之第2方向之第2信号线之第l基板;以及框构件:以及具有萤光体之第2基板之显示元件,前述各电晶体元件与前述各电子源元件系被设置于前述第l信号线与前述第2信号线之交叉区域。
申请公布号 TW455829 申请公布日期 2001.09.21
申请号 TW089116704 申请日期 2000.08.18
申请人 日立制作所股份有限公司 发明人 铃木睦三;金子 好之;楠 敏明;佐川 雅一
分类号 G09F9/30 主分类号 G09F9/30
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种影像显示装置,其系一种具备:具备:具有复数个之电晶体元件;及具有被设置于前述每一个电晶体元件之同时,以下部电极、绝缘层、上部电极之顺序积层之构造,在上述上部电极施加正极性之电压之际,由上述上部电极表面放出电子之电子源元件;及被设置在第1方向之第1信号线;及被设置在与前述第1方向正交之第2方向之第2信号线之第1基板;以及框构件;以及具有萤光体之第2基板,以前述第1基板、前述框构件以及前述第2基板所包围之空间被设为真空气氛之显示元件之影像显示装置,其特征为:前述各电晶体元件与前述各电子源元件系被设置于前述第1信号线与前述第二信号线之交叉区域。2.一种影像显示装置,其系一种具备:具备具有复数个之电晶体元件;及具有被设置于前述每一个电晶体元件之同时,以下部电极、绝缘层、上部电极之顺序积层之构造,在上述上部电极施加正极性之电压之际,由上述上部电极表面放出电子之电子源元件;及被设置在第1方向之第1信号线;及被设置在与前述第1方向正交之第2方向之第2信号线之第1基板;以及框构件;以及具有萤光体之第2基板,以前述第1基板、前述框构件以及前述第2基板所包围之空间被设为真空气氛之显示元件之影像显示装置,其特征为:前述各电晶体元件被设置在以前述第1信号线与前述第2信号线所包围之区域内。3.一种影像显示装置,其系一种具备:具备具有复数个之电晶体元件;及具有被设置于前述每一个电晶体元件之同时,以下部电极、绝缘层、上部电极之顺序积层之构造,在上述上部电极施加正极性之电压之际,由上述上部电极表面放出电子之电子源元件;及被设置在第1方向之第1信号线;及被设置在与前述第1方向正交之第2方向之第2信号线之第1基板;以及框构件;以及具有萤光体之第2基板,以前述第1基板、前述框构件以及前述第2基板所包围之空间被设为真空气氛之显示元件之影像显示装置,其特征为:前述各电晶体元件之控制电极系被电气地导通于前述复数之第1信号线之中之一;前述各电晶体元件之第1电极被电气地导通于前述复数之第2信号线之中之一;前述各电晶体元件之第2电极被电气地导通于被设置在每一前述各电晶体元件之前述电子源元件之前述下部电极。4.如申请专利范围第3项记载之影像显示装置,其中前述电晶体元件与前述电子源元件被形成在不同之层。5.如申请专利范围第4项记载之影像显示装置,其中前述电晶体元件被形成在比前述电子源元件之前述下部电极还下侧之层,而且,为前述下部电极之下侧。6.如申请专利范围第5项记载之影像显示装置,其中前述第1基板具有:被形成于前述第1基板上之复数个之半导体层;以及被形成在前述复数个之半导体层上之第1绝缘层;以及被形成在前述第1绝缘层上之前述控制电极;以及被形成在前述第1绝缘层上,被与前述控制电极电气地导通之前述第1信号线;以及被形成在前述第1绝缘层上之第2绝缘层;以及被形成在前述第2绝缘层上之前述第2信号线;以及被形成在前述第2绝缘层上之第3绝缘层;以及被形成在前述第3绝缘层上之前述各电子源元件之前述下部电极;前述各电晶体元件系以前述各半导体层与前述各控制电极构成,前述各半导体层之第1电极区域透过被形成在前述第1绝缘层与前述第2绝缘层之第1接触孔,被与前述第2信号线电气地导通,前述各半导体层之第2电极区域透过被形成在前述第1绝缘层、前述第2绝缘层以及前述第3绝缘层之第2接触孔,被与前述各下部电极电气地导通。7.如申请专利范围第3项记载之影像显示装置,其中前述上部电极对于前述各电子源元件系共通地被形成。8.如申请专利范围第3项记载之影像显示装置,其中具有被形成在前述各电子源元件被形成之区域以外之区域之上部电极总线;前述上部电极被形成为其之周边部覆盖前述上部电极总线。9.如申请专利范围第7项记载之影像显示装置,其中于前述上部电极施加反转脉冲电压。10.如申请专利范围第3项记载之影像显示装置,其中前述各电晶体元件之输出阻抗比前述各电子源之动作区域之微分电阻値小。11.如申请专利范围第3项记载之影像显示装置,其中具备:对前述各第1信号线供给驱动电压之第1驱动手段;以及对前述各第2信号线供给驱动电压之第2驱动手段;前述第2驱动手段具备对前述各第2信号线供给定电流之定电流电路。12.一种影像显示装置,其系一种具备:具备具有复数个之电晶体元件;及被设置于前述每一各电晶体元件之复数个之电子放出元件;及被设置在第1方向之第1信号线;及被设置在与前述第1方向正交之第2方向之第2信号线之第1基板;以及框构件;以及具有萤光体之第2基板,以前述第1基板、前述框构件以及前述第2基板所包围之空间被设为真空气氛之显示元件;以及对前述各第1信号线供给驱动电压之第1驱动手段;以及对前述各第2信号线供给驱动电压之第2驱动手段之影像显示装置,其特征为:前述各电晶体元件之控制电极系被电气地导通于前述复数之第1信号线之中之一;前述各电晶体元件之第1电极被电气地导通于前述复数之第2信号线之中之一;前述各电晶体元件之第2电极被电气地导通于被设置在每一前述各电晶体元件之前述复数个之电子放出元件;前述第2驱动手段系具备对前述各第2信号线供给定电流之定电流电路。13.如申请专利范围第12项记载之影像显示装置,其中前述第1基板具备:被形成在前述第1基板上之前述第2信号线;以及被形成在前述第1基板上之复数个之第3电极;以及覆盖前述第2信号线以及前述第3电极之一部份地被形成在前述第1基板上之复数个之半导体层;以及覆盖前述各半导体层地被形成在前述各第3电极上之前述电子放出元件;以及除了前述电子放出元件被形成之区域,被形成在前述第2信号线以及前述半导体层上之第1绝缘层;以及被形成在前述第1绝缘层上之前述控制电极;以及被形成在前述第1绝缘层上,被与前述控制电极电气地导通之前述第1信号线,前述各电晶体元件以前述半导体与前述控制电极构成。14.一种影像显示装置,其系一种具备:具备具有复数个之电晶体元件;及被设置于前述每一各电晶体元件之电场发光元件;及被设置在第1方向之第1信号线;及被设置在与前述第1方向正交之第2方向之第2信号线之第1基板之显示元件;以及对前述各第1信号线供给驱动电压之第1驱动手段;以及对前述各第2信号线供给驱动电压之第2驱动手段之影像显示装置,其特征为:前述各电晶体元件之控制电极系被电气地导通于前述复数之第1信号线之中之一;前述各电晶体元件之第1电极被电气地导通于前述复数之第2信号线之中之一;前述各电晶体元件之第2电极被电气地导通于被设置在前述每一各电晶体元件之前述各电场发光元件之第1电极;前述第2驱动手段系具备对前述各第2信号线供给定电流之定电流电路。15.如申请专利范围第14项记载之影像显示装置,其中前述电晶体与前述电场发光元件系被形成在不同之层。16.如申请专利范围第15项记载之影像显示装置,其中前述第1基板具有:被形成于前述第1基板上之复数个之半导体层;以及被形成在前述复数个之半导体层上之第1绝缘层;以及被形成在前述第1绝缘层上之前述控制电极;以及被形成在前述第1绝缘层上,被与前述控制电极电气地导通之前述第1信号线;以及被形成在前述第1绝缘层上之第2绝缘层;以及被形成在前述第2绝缘层上之前述第2信号线;以及被形成在前述第2绝缘层上之前述电场发光元件之第1电极;前述各电晶体元件系以前述各半导体层与前述各控制电极构成,前述各半导体层之第1电极区域透过被形成在前述第1绝缘层与前述第2绝缘层之第1接触孔,被与前述第2信号线电气地导通,前述各半导体层之第2电极区域透过被形成在前述第1绝缘层与前述第2绝缘层之第2接触孔,被与前述电场发光元件之第1电极电气地导通。17.如申请专利范围第14项记载之影像显示装置,其中前述电场发光元件系有机电场发光元件。18.如申请专利范围第17项记载之影像显示装置,其中前述影像显示装置之驱动方式系线依序驱动方式。19.一种影像显示装置,其系一种具备:具备具有复数个之电晶体元件;及被设置于前述每一各电晶体元件之发光二极体元件;及被设置在第1方向之第1信号线;及被设置在与前述第1方向正交之第2方向之第2信号线之第1基板之显示元件;以及对前述各第1信号线供给驱动电压之第1驱动手段;以及对前述各第2信号线供给驱动电压之第2驱动手段之影像显示装置,其特征为:前述各电晶体元件之控制电极系被电气地导通于前述复数之第1信号线之中之一;前述各电晶体元件之第1电极被电气地导通于前述复数之第2信号线之中之一;前述各电晶体元件之第2电极被电气地导通于被设置在前述每一各电晶体元件之前述发光二极体之第1电极;前述第2驱动手段系具备对前述各第2信号线供给定电流之定电流电路。20.如申请专利范围第3或11项记载之影像显示装置,其中前述各电晶体元件为薄膜电晶体,使该薄膜电晶体在非饱和区域动作。21.如申请专利范围第12项记载之影像显示装置,其中前述各电晶体元件为薄膜电晶体,使该薄膜电晶体在非饱和区域动作。22.如申请专利范围第14或17项记载之影像显示装置,其中前述各电晶体元件为薄膜电晶体,使该薄膜电晶体在非饱和区域动作。23.如申请专利范围第19项记载之影像显示装置,其中前述各电晶体元件为薄膜电晶体。使该薄膜电晶体在非饱和区域动作。24.如申请专利范围第3项记载之影像显示装置,在前述第1基板上形成前述第1驱动手段以及前述第2驱动手段之至少其中一方。25.如申请专利范围第14项记载之影像显示装置,在前述第1基板上形成前述第1驱动手段以及前述第2驱动手段之至少其中一方。图式简单说明:第一图系显示本发明之影像显示装置之薄膜矩阵之一例之概略构成图。第二图系说明MOS电晶体之特性用之图。第三图系表示本发明之实施形态1之像素电晶体之配置之平面图。第四图系显示本发明之实施形态1之电子源板之重要部位剖面构造之剖面图。第五图系说明本发明之实施形态1之像素电晶体之制造方法用之图。第六图系说明本发明之实施形态1之薄膜型电子源矩阵之制造方法用之图。第七图系由萤光显示板侧观看本发明之实施形态1之显示面板之平面图。第八图系由本发明之实施形态1之显示面板拆除萤光显示板,由显示面板之萤光显示板侧观看电子源板之平面图。第九图系显示本发明之实施形态1之显示面板之构成之重要部位剖面图。第十图系显示于本发明之实施形态1之显示面板接续驱动电路之状态之接线图。第十一图系显示由第十图所示之各驱动电路被输出之驱动电压之波形之一例之时机图。第十二图系显示于本发明之实施形态1之显示面板中,在电子源板上形成各驱动电路之例之方块图。第十三图系显示本发明之实施形态2之列电极驱动电路之一例之概略内部构成之方块图。第十四图系显示于本发明之实施形态2之影像显示装置中,由各电极驱动电路被输出之驱动电压之波形之一例之时机图。第十五图系本发明之实施形态3之影像显示装置之被制作于基板上之像素电晶体与电场放射型电子源之平面图。第十六图系显示本发明之实施形态3之电场放射型阴极之重要部位剖面构造之剖面图。第十七图系显示于本发明之实施形态3之影像显示装置中,由各电极驱动电路被输出之驱动电压之波形之一例之时机图。第十八图系本发明之实施形态4之影像显示装置之平面图。第十九图系显示本发明之实施形态4之影像显示装置之重要部位剖面构造之剖面图。第二十图系显示于本发明之实施形态4之影像显示装置中,由各电极驱动电路被输出之驱动电压之波形之一例之时机图。第二十一图系说明薄膜型电子源之代表例之MIM型电子源之动作原理用之图。第二十二图系显示习知之薄膜电子源矩阵之概略构成图。
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