炉管式低压化学气相沉积之废气微粒子沉积装置

摘要

本创作揭露一种可增加沉积废气微粒子表面积之炉管，应用于半导体的四乙氧基矽烷沉积制程，其系增设沉积结构于排出沉积反应后所剩气体之通道，以增加沉积过滤该反应后所剩气体的微粒子之表面积，因而降低设备预防保养之频率及所花费之时间与成本，进而提升生产之产能。

主权项

1.一种炉管,用于半导体沉积TEOS之制程,该炉管包括:一内管,其内供放置载有晶圆之晶舟;一外管,套设于该内管外,二者之间并形成一通道,以便沉积反应所剩气体排出;以及一沉积结构,介于该内管与该外管之间,俾增加经过该通道之该所剩气体沉积之表面积。2.如申请专利范围第1项所述之炉管,该沉积结构为该内管外壁之突起。3.如申请专利范围第1项所述之炉管,该沉积结构为该外管内壁之突起。4.如申请专利范围第1项所述之炉管,该沉积结构为一滤网。图式简单说明:第一图(a)系习知之炉管式低压化学气相沉积装置。第一图(b)系第一图(a)之上视剖面图。第二图系本创作之一实施例。第三图系本创作之另一实施例。第四图系本创作之再一实施例。