发明名称 quantum dot infrared detection device and method for fabricating the same
摘要 <p>양자점 적외선 수광 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 양자점과 분리층이 교대로 적층된 양자점부의 양자점에 불순물을 도핑시키고 양자점부 자체가 흡수된 적외선에 의해 생성된 전자를 이동시키는 채널(channel) 역할을 수행하게 하는 새로운 개념의 소자로써, 소자의 성능 및 균일도를 높이고 구조 및 공정을 단순화하는데 있다.</p>
申请公布号 KR100313889(B1) 申请公布日期 2001.11.17
申请号 KR19990011285 申请日期 1999.03.31
申请人 null, null 发明人 유태경;오재응
分类号 H01L31/10;H01L31/00 主分类号 H01L31/10
代理机构 代理人
主权项
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