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<p>본 발명은 반도체 장치의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 종래 반도체 장치의 콘택홀 형성방법은 저농도 소스 및 드레인의 손상을 방지하기 위해 추가 이온주입을 실시하는 경우, 그 이온주입의 마스크로 사용하는 절연막에 포함된 붕소 및 인 이온들에 의해 저농도 소스 및 드레인이 오염되거나, 소스 및 드레인의 불순물이 외부로 유출되어 모스 트랜지스터의 특성이 열화되는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 저농도 소스 및 드레인의 손상을 복원하기 위한 이온주입공정을 실시하기 전에 다결정실리콘을 증착하여, 그 이온주입공정에 의해 절연막에 의한 저농도 소스 및 드레인의 오염을 방지하여 반도체 장치의 특성이 열화되는 것을 방지하는 효과가 있다.</p> |
