| 主权项 |
1.一种用以制造一磁阻穿隧接面之方法,其包括下列步骤:提供具有一表面之材料的一第一磁层;在该第一磁层的表面上形成材料的一连续层,该材料层系包括具有原子的一主要材料与具有不同于该主要材料原子之原子的微量材料;处理该材料的连续层,以产生一处理过的非传导性材料层;及在处理过的非传导性材料层上形成一第二磁层。2.如申请专利范围第1项之用以制造一磁阻穿隧接面之方法,其中形成包括该主要材料的该材料连续层之步骤包括形成一铝连续层。3.如申请专利范围第2项之用以制造一磁阻穿隧接面之方法,其中形成包括微量材料的该材料连续层之步骤包括形成具有微量铜、矽、钽、或钛其中之一之铝连续层。4.如申请专利范围第1项之用以制造一磁阻穿隧接面之方法,其中形成包括具有原子的主要材料与具有不同于主要材料原子之原子的微量材料连续层之步骤,包括在该第一磁层的表面上沉积具有原子的一晶粒材料之步骤,这些原子系不同于该主要材料的原子,并在该晶粒材料上沉积该主要材料。5.如申请专利范围第1项之用以制造一磁阻穿隧接面之方法,其中处理该材料连续层之步骤包括氧化、氮化、或其组合其中之一。6.一种用以制造一磁阻穿隧接面之方法,其包括下列步骤:提供具有一表面材料的一第一磁层;在具有1毫微米至3毫微米范围厚度的该第一磁层的表面上形成一铝合金连续层,该铝合金层包括具有原子之大于90%的铝与具有微量不同于铝原子之原子的材料,以产生较铝的晶粒为小的晶粒;将该铝合金的连续层氧化,以产生一氧化铝合金层;及在该氧化的铝合金层形成一第二磁层。7.如申请专利范围第6项之用以制造一磁阻穿隧接面之方法,其中形成包括微量材料的该金属连续层之步骤包括形成具有微量铜、矽、钽、或钛其中之一之铝连续层。8.如申请专利范围第6项之用以制造一磁阻穿隧接面之方法,其中形成该金属连续层之步骤包括形成具有大约1.5毫微米厚度的层。9.如申请专利范围第6项之用以制造一磁阻穿隧接面之方法,其中该形成包括具有原子的该主要氧化金属与具有不同于该氧化金属原子之原子之微量材料的该金属连续层之步骤,包括在该第一磁层的表面上沉积具有原子的一晶粒材料,这些原子系不同于氧化金属的原子,并在该晶粒材料上沉积该主要氧化金属。10.一种磁阻穿隧接面,其包括:具有一表面材料的一第一磁层;位在该第一磁层表面上的一金属氧化或金属氮化连续层,该连续层包括具有原子的一支配性金属与具有不同于该支配性金属的原子之原子之微量材料;及在该连续层形成的一第二磁层。图式简单说明:第一图至第四图系根据本发明而描述各种不同中介结构之简化与放大部分图式。 |
