| 摘要 |
<p>금속 도금(metal plating) 기술을 이용하여 LDD(Lightly Doped Drain) 공정을 단순화한 폴리실리콘 박막트랜지스터의 제조방법이 개시된다. 본 발명의 LDD 형성방법은 투명성 절연기판 상에 폴리실리콘 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 반도체층의 진성(intrinsic) 영역의 상부에 게이트 산화막과 게이트 전극을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극과 게이트 산화막을 마스크로 이용한 저농도 이온주입 공정을 통하여 상기 반도체층에 저농도 이온주입영역을 정의하는 단계와, 상기 결과물에 금속 도금(metal plating)공정을 수행하여 상기 게이트 전극의 양 측벽에 금속 도금막을 형성하는 단계와, 상기 금속 도금막을 LDD 영역 마스크로 이용한 고농도 이온주입 공정을 통하여 상기 반도체층에 고농도 이온주입 영역을 정의하는 단계, 및 상기 결과물에 활성화 공정을 수행하여 상기 반도체층에 고농도 소스/드레인 영역과 LDD 영역을 형성하는 단계를 포함한다.</p> |
